气相裂解法制备β-SiC超细微粉工艺制造技术

本发明专利技术设计一种利用生产陶瓷先驱体聚碳硅烷生成的副产物(可气化的有机硅聚合物CPS)，采取气相裂解法工业化制备β-SiC超细陶瓷粉体工艺。主要包括以下步骤：原料、惰性气体经计量输送至气化釜内气化，通过静混器调节惰性气体比例至气相裂解炉裂解生成SiC微粉，然后由气流带入冷环境中迅速冷却，再将SiC微粉进行结晶、脱碳处理得到β-SiC超细粉体。本发明专利技术合理利用生产陶瓷先驱体聚碳硅烷生成的副产物CPS，连续化制备SiC超细粉体，此工艺生产的β-SiC粉体纯度高，晶型完整，粒径分布均匀，在0.05-1um之间可调，无三废排放，符合环保要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种超细粉体的制备工艺。利用生产陶瓷先驱体聚碳硅烷生成的副产物(可气化的有机硅聚合物CPS)，采取气相裂解法制备β-SiC超细粉体。
技术介绍
SiC是人工合成的强共价键的非氧化物陶瓷材料，19世纪初首先被Berzeliuss合成，其工艺上的重要性经美国化学家Acheson揭示后于1893年被承认。高性能SiC材料(如β -SiC粉末、连续SiC纤维、SiC晶须及复合材料)具有高技术、高附加值的特点，超 细粉SiC就以其高温强度，高热导率，高耐磨性、耐腐蚀性以及良好的烧结性能，在航天、汽车、机械、电子、化工等领域得到广泛应用，尤其是作为金属、陶瓷、树脂等基体的增强材料。因此SiC的生产成为人们极为关注的问题。目前国内制备aSiC粉体方法主要有机械粉碎法、碳热还原法、溶胶-凝胶法、碳硅直接反应法等，但大都制备的SiC粉体存在粒径较大，环境污染严重、生产工艺复杂，能耗闻等问题。中国专利CN 1184142C使用原料CH3SiCl3，采用等离子化学气相法，经高温快速反应制备β-SiC粉。此方法生成的副产物中含有HC1。本专利技术使用原料为可气化有机硅聚合物，气相裂解制备β 本文档来自技高网...

【技术保护点】
气相裂解法制备β?SiC超细微粉工艺，制备工艺包括以下步骤：连续向气化釜内通入10?50L/min的惰性气体和CPS?40?100ml/min，混合后，由气化釜100℃?300℃气化，经管道预热(150℃?400℃)至静混器，向静混器内通入20?100L/min惰性气体，调节惰性气体与CPS体积比至500∶1?2000∶1，进入气相裂解炉，经1100?1400℃快速裂解，由气体带入多级收集罐内快速冷却生成SiC微粉。气体经过尾气处理系统，气体中残留的微粉经淋洗塔进入水槽，排出的气体经过粉末净化器进一步净化排出；将水槽中的微粉100℃烘干得到SiC微粉；将不同收集罐及烘干后的微粉于结晶炉中140...

【技术特征摘要】
1.气相裂解法制备β-SiC超细微粉工艺，制备工艺包括以下步骤连续向气化釜内通入10-50L/min的惰性气体和CPS 40_100ml/min，混合后，由气化釜 IOO0C _300°C气化，经管道预热(150°C -400°C )至静混器，向静混器内通入20_100L/min惰性气体，调节惰性气体与CPS体积比至500 1-2000 1，进入气相裂解炉，经1100-1400°c 快速裂解，由气体带入多级收集罐内快速冷却生成SiC微粉。气体经过尾气处理系统，气体中残留的微粉经淋洗塔进入水槽，排出的气体经过粉末净化器进一步净化排出；将水槽中的微粉100°C烘干得到SiC微粉；将不同收集罐及烘干后的微粉于结晶炉中1400-1700°C惰性气体保护热处理l_4h ;冷却后将粉体再于脱碳炉500_800°C含氧气氛中热处理l-4h,得到晶型完整的β -SiC超细粉体，若有特殊要求，可经过沸腾床进一步分级，分别经称重后打包；形成不同规格的产品供用户选择。2.根据权利要求I所述的制备β-SiC超细微粉工艺，其特征在于使用生产陶瓷先驱体聚碳娃烧生成的副产物即可气化的有机娃聚合物CP...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴永龙，马小民，张冀，蒋伟鸣，张博，张寅，
申请(专利权)人：苏州赛力菲陶纤有限公司，
类型：发明
国别省市：