一种β-SiC纳米线的合成方法技术

一种β-SiC纳米线的合成方法，它涉及一种SiC纳米材料的合成方法。它要解决现有合成SiC纳米线方法需要高温、产物纯度低以及对设备要求高的问题。合成方法：一、按质量百分数比将硅粉、SiO2粉体和碳纳米管粉体均匀混合，放入管式炉里置于氩气中1200～1500℃的温度进行烧结，得到初级产物；二、将初级产物放入加热设备中,在300~700℃下保温去碳，放入氢氟酸中处理，经减压过滤后用水和乙醇洗涤，干燥后得到β-SiC纳米线。采用本发明专利技术合成方法得到的产品纯度高，可控性好，烧结温度较低，无需经过减压处理，对设备要求低。本发明专利技术主要应用于SiC纳米材料的合成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种SiC纳米材料的合成方法。
技术介绍
碳化硅材料是自第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAS、GaP、InP等)之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料。该种材料具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电压、高载流子饱和漂移速度等特点，主要应用于高温、高频、大功率、光电子和抗辐射器件。尤其在高速电路器件、高温器件和高功率器件中有着巨大的潜在应用价值。同时，由于碳化硅具有高强度、高硬度、高抗氧化性、高耐腐蚀性、高导热性和低热膨胀系数等特点，所以SiC材料也是制备高温复合材料大尺寸构件的主要增强相之一。SiC—维纳米材 料特殊的结构、优异的物理性能、既能比较容易地与当前成熟的集成电路工艺相兼容，又可以在纳米方面发挥其独特的性能，具备了块体材料无法达到的优异性能。因此，SiC纳米线的快速制备对于推动产品的微型化、高性能化，以及节能、高效、低耗、高集成度化等具有重要的意义。目前制备SiC纳米线的主要方法有弧光放电法、减压气氛烧结法、气相沉积法、聚合物热解法、微波烧结法等。但是这些方法都存在一定的缺点，如弧光放电法和气相沉积法一般需要成本较高的金属催化剂，得到的最本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种β?SiC纳米线的合成方法，其特征在于β?SiC纳米线的合成方法按下列步骤实现：一、按质量百分数比将15%~40%的硅粉、25%~65%的SiO2粉体和15%~55%的碳纳米管粉体均匀混合得到混合粉体，然后将混合粉体放入管式炉中置于氩气氛以1200～1500℃的温度烧结，保温1～8h，得到初级产物；二、将步骤一得到的初级产物放入加热设备中,在300~700℃的烧结温度下保温2～10h去碳，然后放入质量浓度为30%～50%的氢氟酸中处理1～12h，经减压过滤后分别用水和乙醇洗涤2～4次，再在70～90℃下干燥2～3h，得到β?SiC纳米线；其中步骤一所述的硅粉细度为100～300目，SiO2...

【技术特征摘要】
1.一种β-SiC纳米线的合成方法,其特征在于β-SiC纳米线的合成方法按下列步骤实现 一、按质量百分数比将15% 40%的硅粉、25% 65%的SiO2粉体和15% 55%的碳纳米管粉体均匀混合得到混合粉体，然后将混合粉体放入管式炉中置于氩气氛以1200 1500°C的温度烧结，保温I 8h，得到初级产物； 二、将步骤一得到的初级产物放入加热设备中，在30(T70(TC的烧结温度下保温2 IOh去碳，然后放入质量浓度为30% 50%的氢氟酸中处理I 12h，经减压过滤后分别用水和乙醇洗涤2 4次，再在70 90°C下干燥2 3h，得到β -SiC纳米线； 其中步骤一所述的硅粉细度为100 300目，SiO2粉体的粒径小于80nm，碳纳米管的直径为2(T40nm，长度为5 15um ； 步骤一中所述的氩气氛中氩气纯度大于99. 99%。2.根据权利要求I所述的一种β-SiC纳米线的合成方法，其特征在于步骤一按质量百分数比将18°/Γ23%的硅粉、35°/Γ48%的SiO2粉体和34°/Γ42%的碳纳米管粉体均匀混合得到混合粉体。3.根据权利要求I所述的一种β-SiC纳米线的合成方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志江，矫金福，徐用军，姜兆华，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：