碳纳米管的制造方法技术

本发明专利技术的碳纳米管的制造方法包括在基材12上生长CNT的生长工序、和向生长炉13内供给包含水的清洁气体而进行清洁的清洁工序，在清洁工序中，进行清洁使得在将生长炉13内的气体中的氢气、二氧化碳及一氧化碳的浓度设为[H2]、[CO2]、[CO]时满足：0.7≤{(2[CO2]+[CO])/[H2]}≤1.3。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳纳米管的制造方法
本专利技术涉及碳纳米管的制造方法。
技术介绍
在利用化学气相沉积法(以下，也称为“CVD法”)等制造碳纳米管(以下，也称为“CNT”)时，有时在制造炉内会附着由原料气体中包含的碳等构成的碳系副产物(以下，也称为“碳垢”)。作为除去这样的碳垢的方法，已知有专利文献1～3中记载的方法。在专利文献1中记载了向CNT的制造中使用的反应管内供给蒸汽从而将碳垢气化的方法。在专利文献2中记载了向碳纤维的制造中使用的反应炉内导入二氧化碳，通过使碳垢和二氧化碳反应，使碳垢成为一氧化碳气体而排出的方法。在专利文献3中记载了使用包含氧原子的清洁气体除去生长炉内的碳垢的方法。另外，在专利文献4中记载了通过对浸渗于渗碳炉内的绝热材料中的发生了炭化的碳等注入空气进行烧尽而将其除去的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-146633号公报专利文献2：日本特开2006-315889号公报专利文献3：日本特开2012-250862号公报专利文献4：日本特开2007-131936号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在通过CVD法制造CNT时，有时碳会浸透到炉壁及炉内部件的内部(渗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳纳米管的制造方法，其是使碳纳米管在表面负载有催化剂的基材上生长的方法，其中，该制造方法包括：生长工序，向送入到生长炉内的所述基材的所述催化剂供给碳纳米管的原料气体，并且对所述催化剂及所述原料气体中的至少一者进行加热，使碳纳米管在所述基材上生长；和清洁工序，向所述生长炉内供给包含水的清洁气体，对所述生长炉内进行清洁，在将所述生长炉内的气体中的氢气的浓度设为[H2]、二氧化碳的浓度设为[CO2]、一氧化碳的浓度设为[CO]时，在所述清洁工序中，对所述生长炉内进行清洁、使得满足下述式(1)：0.7≤{(2[CO2]+[CO])/[H2]}≤1.3···(1)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.06.27 JP 2013-1354861.一种碳纳米管的制造方法，其是使碳纳米管在表面负载有催化剂的基材上生长的方法，其中，该制造方法包括：生长工序，向送入到生长炉内的所述基材的所述催化剂供给碳纳米管的原料气体，并且对所述催化剂及所述原料气体中的至少一者进行加热，使碳纳米管在所述基材上生长；和清洁工序，向所述生长炉内供给包含水的清洁气体，对所述生长炉内进行清洁，在将所述生长炉内的气体中的氢气的浓度设为[H2]、二氧化碳的浓度设为[CO2]、一氧化碳的浓度设为[CO]时，在所述清洁工序中，对所述生长炉内进行清洁、使得满足下述式(1)：0.7≤{(2[CO2]+[CO])/[H2]}...

【专利技术属性】
技术研发人员：涉谷明庆，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP