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一种β-SiC纳米线的合成方法，它涉及一种SiC纳米材料的合成方法。它要解决现有合成SiC纳米线方法需要高温、产物纯度低以及对设备要求高的问题。合成方法：一、按质量百分数比将硅粉、SiO2粉体和碳纳米管粉体均匀混合，放入管式炉里置于氩气中1...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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