一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片的制备过程，以降低陶瓷芯片的形变及介质层之间脱层率，此制备过程较传统陶瓷芯片制备过程省去了叠层、压合这两道工序，也同时避免了这两道工序带来的陶瓷芯片的形变，且给生产企业大大节省了时间和成本，而且在制备SiC陶瓷层过程中采用的浸渍方法可以使聚碳硅烷溶液填充到钛酸钡层及后来的每个SiC陶瓷层表面的孔洞，并且可包裹住内电极，在聚碳硅烷氧化交联及高温裂解后，钛酸钡层与SiC陶瓷层、SiC陶瓷层与SiC陶瓷层及内电极与SiC陶瓷层之间贴合更加紧密，从而大大降低了陶瓷芯片介质层之间的脱层率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷芯片，具体涉及到一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片。

技术介绍

1、多层片式陶瓷电容器(multilayer ceramic capacitors)简称mlcc，具有高比容、高可靠性、高耐压、频率特性好等特点，是在电子信息、计算机、自动控制及通讯等领域应用十分广泛的电子器件。随着电子设备及元器件向微型、薄层、混合集成等方向发展以及集成电路表面安装技术的迅速发展，对高性能mlcc的需求与日俱增。近年来，随着电子信息技术的不断进步，电子电路的高密度化，对电子部件小型化的要求高，多层陶瓷电容器的小型化、大容量化迅速发展。同时，多层陶瓷电容器向着介质层薄层化方向发展，需要即使薄层化也要保证电容器的可靠性的介质材料，尤其在高温高压下使用的中高压多层陶瓷电容器的小型化和大容量化，对构成介质层的介质材料的可靠性提出了非常高的要求。

2、钛酸钡(batio3)是mlcc中常用的基体材料，具有较高的介电常数。将钛酸钡应用于mlcc时，通常是将钛酸钡粉体配制成浆料，流延成膜片，再经过电极印刷、叠层、压合、切割形成具有一定形状和尺寸的生坯，然后烧结成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，将钛酸钡(BaTiO3)陶瓷基片采用浸渍的方法浸渍聚碳硅烷溶液，经预氧化交联、高温裂解后，获得第一层SiC陶瓷，之后在第一层SiC陶瓷上丝网印刷内电极。

2.如权利要求1所述一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，在权利要求1步骤的基础上重复进行浸渍、氧化交联、高温裂解以获得第二层SiC陶瓷，之后在第二层SiC陶瓷上丝网印刷内电极。

3.如权利要求1所述一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，重复权利要求2的步骤以得到更多层印有内电极的SiC陶瓷层，层数大于等于3，最外层是没有内电极的SiC陶瓷层。

4...

【技术特征摘要】

1.一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，将钛酸钡(batio3)陶瓷基片采用浸渍的方法浸渍聚碳硅烷溶液，经预氧化交联、高温裂解后，获得第一层sic陶瓷，之后在第一层sic陶瓷上丝网印刷内电极。

2.如权利要求1所述一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，在权利要求1步骤的基础上重复进行浸渍、氧化交联、高温裂解以获得第二层sic陶瓷，之后在第二层sic陶瓷上丝网印刷内电极。

3.如权利要求1所述一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，重复权利要求2的步骤以得到更多层印有内电极的sic陶瓷层，层数大于等于3，最外层是没有内电极的sic陶瓷层。

4.如权利要求1所述一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片，其特征在于，所述聚碳硅烷溶液的浓度为5％～40％。

5.如权利要求1所述一种多层陶瓷电容器中陶瓷芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：张冀，黄梅，张博，
申请(专利权)人：苏州赛力菲陶纤有限公司，
类型：发明
国别省市：