【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域，特别是涉及一种半导体晶圆加工中的电镀装置及其控制方法。
技术介绍
1、目前半导体电镀技术中，电镀均匀性是电镀工艺的关键，而电镀均匀性又会有很多因素的影响，例如电场。对于晶圆级的封装工艺，对过程产品的整体高度有比较严苛的标准，晶圆平边缺口附近的电镀层高度很容易对产品良率与产量造成负面影响。在电镀过程中，要保证电镀的均匀性就应该首先保证工作离子运输电流的稳定与均匀。对于具有平边的晶圆，晶圆平边与平边周围造成了晶圆的差异化，从而导致了电镀电场强度在晶圆圆周和平边区域的差异化。不同电场强度影响导致晶圆平边缺口附近区域电镀层厚度较高。电镀镀层不均匀最终导致半导体器件可靠性低。
2、在现有技术中，没有特别有效的解决晶圆平边造成的电场边缘效应差异化的方法，这就会造就晶圆的平边镀层均匀性很差。晶圆镀层的不均匀会对最终的半导体产品可靠性造成诸多不利影响；如何减小因晶圆平边造成的电场对镀层产生的不利影响有待解决。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是为了克服...
【技术保护点】
1.一种晶圆电镀装置，包括支撑晶圆(1)的支架(2)，其特征在于，还包括，
2.如权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特征在于，所述遮挡板(3)在其遮挡位和暂停位之间移动的运动方向，与所述晶圆(1)在所述电镀位置时的平边的方向垂直。
3.如权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特征在于，所述遮挡板(3)在所述暂停位与遮挡位之间做水平移动，所述遮挡板(3)水平移动的平面，为所述电镀平面，或者位于所述电镀平面的下方。
4.如权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特征在于，还包括在平边检测平面(10)，用于检测晶圆旋转至电镀位置的第一检测组件，所述平边检...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆电镀装置，包括支撑晶圆(1)的支架(2)，其特征在于，还包括，
2.如权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特征在于，所述遮挡板(3)在其遮挡位和暂停位之间移动的运动方向，与所述晶圆(1)在所述电镀位置时的平边的方向垂直。
3.如权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特征在于，所述遮挡板(3)在所述暂停位与遮挡位之间做水平移动，所述遮挡板(3)水平移动的平面，为所述电镀平面，或者位于所述电镀平面的下方。
4.如权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特征在于，还包括在平边检测平面(10)，用于检测晶圆旋转至电镀位置的第一检测组件，所述平边检测平面(10)位于所述电镀平面的上方。
5.如权利要求4所述的晶圆电镀装置，其特征在于，所述第一检测组件，包括相对设置的第一激光发射器(21)和第一激光接收器(22)，所述第一激光发射器(21)和所述第一激光接收器(22)设于所述晶圆的电镀位置的平边的两端外侧，所述第一激光发射器(21)和第一激光接收器(22)之间的连线，与所述晶圆处于所述电镀位置时的平边平行。
6.如权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·贺·汪，王铮，林鹏鹏，印琼玲，韦永雁，
申请(专利权)人：新阳硅密上海半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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