【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电镀领域，具体地，涉及一种控制晶圆电镀速率的装置。
技术介绍
1、金属电镀工艺广泛应用于集成电路和板级互连等应用领域，目前包括集成电路芯片的大马士革金属互连、先进封装例如2.5/3d集成、fan-in/fan-out封装等领域都普遍采用电镀工艺加工金属导线和金属触点。
2、目前应用于集成电路半导体制造工艺中的高端电镀工艺主要是晶圆级水平电镀，即通过电镀设备和电镀工艺在圆形晶圆表面或晶圆表面选定的区域沉积金属，电镀设备主要包含一个电镀槽和一个电镀头以及其他机械传动装置，电镀槽用来承载电镀液和其他化学药剂；电镀头用来加载晶圆，电镀工艺过程中由电镀头夹住晶圆，将晶圆的待镀表面浸没到电镀槽的药液内，通过放置在电镀槽内的金属阳极电极和安装在镀头上的金属阴极电极，通过待电镀晶圆和电镀液实现一个电化学反应的电流通路，金属阳极电极的电流会均匀分布在电镀槽的电镀液中，金属阴极电极会通过电镀头上的金属接触点与晶圆上的导电层接触形成导电通路，在电镀液和待电镀的晶圆表面就会发生电镀反应，将金属离子不断地从电镀液中还原电离出来沉积到待电镀晶...
【技术保护点】
1.一种控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，包括电镀组件和电镀速率调节组件；
2.根据权利要求1所述的控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，所述信号识别结构为信号识别点，当该信号识别点接收到激光信号后并将其反射回激光信号发射/接收器后，控制装置能够控制启闭开关在一定时间内呈现闭合状态。
3.根据权利要求2所述的控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，所述信号识别点为一镜面金属的镶嵌物。
4.根据权利要求2所述的控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，所述信号识别点为一金属箔。
5.一种控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，包括电镀组...
【技术特征摘要】
1.一种控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，包括电镀组件和电镀速率调节组件；
2.根据权利要求1所述的控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，所述信号识别结构为信号识别点，当该信号识别点接收到激光信号后并将其反射回激光信号发射/接收器后，控制装置能够控制启闭开关在一定时间内呈现闭合状态。
3.根据权利要求2所述的控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，所述信号识别点为一镜面金属的镶嵌物。
4.根据权利要求2所述的控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，所述信号识别点为一金属箔。
5.一种控制晶圆电镀速率的装置，其特征在于，包括电镀组件和电镀速率调节组件；
6.根据权利要求1或5所述的控制晶圆电镀速率的装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·贺·汪，姜涛，王铮，印琼玲，林鹏鹏，韦永雁，王涛，
申请(专利权)人：新阳硅密上海半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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