一种电镀用搅拌装置及电镀槽制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电镀用搅拌装置及电镀槽，其中，电镀用搅拌装置包括特殊骨架结构设计以及开孔设计的搅拌板，利用该搅拌板对电镀药液施加受控的物理搅拌，将晶圆表面上阴极药液进行适当的分流、匀流，电镀药液随着此搅拌板进行匀流运动，加快向通孔/盲孔中的扩散和质量传输，减少晶圆中心及边缘的电镀液浓度差，从而加速通孔/盲孔中物质交换,促进金属离子的沉积，实现整片晶圆上各处电镀薄膜厚度均匀一致，通孔/盲孔内填充效率更高的无缺陷填充。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电镀装置，具体地，涉及一种电镀用搅拌装置及包含该电镀用搅拌装置的电镀槽。

技术介绍

1、tsv硅通孔技术是高端芯片的3d结构的关键技术，可以穿过硅基板实现硅片内部和不同硅片的同构或异构集成的垂直电互联互连，这项技术是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3d先进封装的关键技术之一。tsv技术能够将晶圆与晶圆之间垂直导通、芯片与芯片之间垂直导通，从而实现晶圆堆叠、芯片堆叠，其目的在于大幅提升芯片性能，是解决摩尔定律失效的重要技术之一。tsv技术可以使多个芯片垂直堆叠，在提高性能的同时，大幅降低芯片占用的基板空间，提高散热。由于tsv核心技术的要求，促使例如深硅刻蚀、高端水平铜电镀等技术逐步发展成熟，为tsv电镀技术和装备商业化发展迎来利好。

2、目前高端芯片领域为了满足以上需求，芯片的3d tsv水平铜互连电镀封装应用越来越广泛，金属铜互连是实现这一切的基础，电镀铜tsv技术在3d互连中起到举足轻重的作用，能将芯片互联互连维持在非常小的尺寸上，缩短信号传输路径，减少rc延迟，减小信号传输功耗。开发无缺陷的tsv电镀工艺的关键是通过药液中不本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电镀用搅拌装置，其特征在于，包括呈帽形的搅拌板，所述搅拌板包括隆起的圆形搅拌区以及自搅拌区底部向外侧延伸形成的底盘；

2.根据权利要求1所述的电镀用搅拌装置，其特征在于，所述骨架结构的面积占搅拌区上表面面积的55％～65％，相邻所述横向骨架之间的距离介于4～8mm之间，相邻所述纵向骨架之间的距离介于40～80mm之间，所述横向骨架和纵向骨架的厚度介于2～6mm之间。

3.根据权利要求1所述的电镀用搅拌装置，其特征在于，所述中部匀流口和边部匀流口的开口宽度介于4～8mm之间，边缘溢流口的开口宽度介于2～4mm之间；边缘溢流口的开口宽度是边部匀流口开口宽度的8...

【技术特征摘要】

1.一种电镀用搅拌装置，其特征在于，包括呈帽形的搅拌板，所述搅拌板包括隆起的圆形搅拌区以及自搅拌区底部向外侧延伸形成的底盘；

2.根据权利要求1所述的电镀用搅拌装置，其特征在于，所述骨架结构的面积占搅拌区上表面面积的55％～65％，相邻所述横向骨架之间的距离介于4～8mm之间，相邻所述纵向骨架之间的距离介于40～80mm之间，所述横向骨架和纵向骨架的厚度介于2～6mm之间。

3.根据权利要求1所述的电镀用搅拌装置，其特征在于，所述中部匀流口和边部匀流口的开口宽度介于4～8mm之间，边缘溢流口的开口宽度介于2～4mm之间；边缘溢流口的开口宽度是边部匀流口开口宽度的80％～90％。

4.根据权利要求1所述的电镀用搅拌装置，其特征在于，所述梯形凸台的高度介于1～3mm之间；梯形凸台之间形成的近v形开口，在越靠近于搅拌区上表面圆心的位置密度越大，在越远离搅拌区上表面圆心的...

【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·贺·汪，印琼玲，林鹏鹏，
申请(专利权)人：新阳硅密上海半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：