【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶圆清洗，尤其涉及一种清洗容器、制备装置、晶圆的清洗工艺。
技术介绍
1、在现有技术中，针对晶圆的生产制造，晶圆电镀与晶圆清洗工艺贯穿整个生产过程，所以在这两个过程中，防止空气与制备过程中的氧气接触是保证工作效果的重要手段。而在晶圆制备过程中，几乎每道工序结束后都需要对晶圆进行清洗。
2、而在清洗的过程中，一部分清洗废液将会被甩至积液隔板上，由积液隔板收集后排出；而另外一部分的细小液滴则很有可能无法被收集至积液隔板，从而落入下方其他区域，造成环境的污染。
3、因此，针对晶圆清洗时细小废液飞溅的情况亟待解决。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中晶圆清洗时细小废液飞溅的缺陷，提供一种清洗容器、制备装置、晶圆的清洗工艺。
2、本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
3、一种清洗容器，所述清洗容器包括清洗本体和用于对待清洗件进行冲洗的清洗液喷嘴，所述清洗液喷嘴设置在所述清洗本体的内壁面上，
...【技术保护点】
1.一种清洗容器，所述清洗容器包括清洗本体和用于对待清洗件进行冲洗的清洗液喷嘴，所述清洗液喷嘴设置在所述清洗本体的内壁面上，其特征在于，
2.如权利要求1所述的清洗容器，其特征在于，所述抽气通道的数量为多个，多个所述抽气通道沿着所述清洗本体的内壁面周向间隔排列设置。
3.如权利要求1所述的清洗容器，其特征在于，所述抽气组件相对所述清洗液喷嘴的喷射提前100ms-400ms开启。
4.如权利要求1所述的清洗容器，其特征在于，所述负压机构的负压大小在30Kpa-60Kpa的范围之间。
5.如权利要求1所述的清洗容器，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种清洗容器，所述清洗容器包括清洗本体和用于对待清洗件进行冲洗的清洗液喷嘴，所述清洗液喷嘴设置在所述清洗本体的内壁面上，其特征在于，
2.如权利要求1所述的清洗容器，其特征在于，所述抽气通道的数量为多个，多个所述抽气通道沿着所述清洗本体的内壁面周向间隔排列设置。
3.如权利要求1所述的清洗容器，其特征在于，所述抽气组件相对所述清洗液喷嘴的喷射提前100ms-400ms开启。
4.如权利要求1所述的清洗容器，其特征在于，所述负压机构的负压大小在30kpa-60kpa的范围之间。
5.如权利要求1所述的清洗容器，其特征在于，在所述清洗本体的内壁面的周侧还设有收集清洗液的收液槽，所述收液槽在水平方向上向所述清洗容器中心轴线的方向延伸设置。
6.如权利要求5所述的清洗容器，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：史蒂文·贺·汪，印琼玲，王铮，林鹏鹏，
申请(专利权)人：新阳硅密上海半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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