二极管制造技术

本发明专利技术提供一种二极管，其具备半导体层叠层体(102)、在半导体层叠层体(102)之上彼此空出间隔而形成的阴极电极(103)及阳极电极(104)、以及覆盖半导体层叠层体(102)之上的保护膜(106)。半导体层叠层体(102)包含第1氮化物半导体层(121)以及带隙大于第1半导体层(121)的第2氮化物半导体层(122)，且具有沟道。阳极电极(104)具有：在半导体层叠层体(102)之上形成的p型的第3氮化物半导体层(143)、与第3氮化物半导体层(143)欧姆接触的第1金属层(141)、以及与第1金属层(141)接触且与沟道欧姆接触的第2金属层(142)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及使用了氮化物半导体的二极管，特别涉及能够适用于电源电路等中所使用的功率器件的二极管。
技术介绍
以氮化镓(GaN)为代表的氮化物半导体是宽带隙半导体，例如GaN及氮化铝(AlN)的室温中的带隙分别是3. 4eV及6. 2eV。氮化物半导体具有绝缘击穿电场大这一特征、以及电子的饱和漂移速度比砷化镓(GaAs)等化合物半导体或者硅(Si)半导体等要大这一特征。在AlGaN/GaN异质构造中，在(0001)面上因自发极化及压电极化而在异质界面产生二·维电子气(2DEG:2 Dimensional Electron Gas)。2DEG的薄层载流子浓度在未掺杂时也在IXlO13cnT2以上，通过利用2DEG，能够实现电流密度大的二极管及异质结场效应晶体管(HFET Hetero-junction Field Effect Transistor)。这样，利用了有利于高输出化及高耐压化的氮化物半导体的功率器件的研究开发目前正在活跃地进行。作为功率器件而使用的二极管之一存在肖特基二极管。作为GaN系的二极管，正在开发使用了 AlGaN/GaN异质构造的肖特基二极管。由于使用了 AlGaN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.16 JP 2010-1614021.一种二极管，具备半导体层叠层体，包含在基板的主面之上形成的第I氮化物半导体层、以及在该第I氮化物半导体层之上形成且带隙大于所述第I氮化物半导体层的第2氮化物半导体层，并具有电子在与所述基板的主面平行的方向上转移的沟道；阴极电极及阳极电极，在所述半导体层叠层体之上彼此空出间隔而形成；和保护膜，覆盖所述半导体层叠层体之上的所述阴极电极与所述阳极电极之间的区域， 所述阳极电极具有P型的第3氮化物半导体层，形成在所述半导体层叠层体之上；第I金属层，形成在所述第3氮化物半导体层之上且与所述第3氮化物半导体层欧姆接触；和第2金属层，与所述第I金属层接触、且在隔着所述第3氮化物半导体层而与所述阴极电极相反侧的位置处与所述沟道欧姆接触。2.根据权利要求1所述的二极管，其中，所述第I氮化物半导体层为多个，所述第2氮化物半导体层为多个，所述第I氮化物半导体层和所述第2氮化物半导体层交替形成。3.根据权利要求2所述的二极管，其中，所述半导体层叠层体具有凹部，该凹部尚未达到多个所述第I氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴田大辅，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：