显示装置、用于显示装置中的薄膜晶体管、及薄膜晶体管的制造方法制造方法及图纸

在具备显示元件、和控制该显示元件的发光的薄膜晶体管的显示装置中，薄膜晶体管具备：栅电极，其形成在绝缘性支撑基板上；栅极绝缘膜，其在基板上形成为覆盖栅电极；沟道层，其形成在栅极绝缘膜上；沟道保护层，其形成在沟道层的上表面；一对接触层，形成在沟道保护层的上表面，且与沟道层连接；和源电极及漏电极，分别与一对接触层连接，一对接触层具有与沟道层的侧面相接的界面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及有机EL(Electro Luminescence)显示装置等显示装置、在该显示装置中使用的薄膜晶体管(以下也略记为“TFT (Thin FilmTransistor)”、及TFT的制造方法。
技术介绍
近几年，作为下一代的显示装置，采用了电流驱动型的有机EL元件的有机EL显示装置备受关注。其中，在有源矩阵驱动型有机EL显示装置中采用场效应晶体管，作为该场效应晶体管之一，已知有在具有绝缘表面的基板上设置的半导体层成为沟道形成区域的薄膜晶体管。作为在有源矩阵驱动型有机EL显示装置中采用的薄膜晶体管，至少需要用于控制有机EL元件的导通/截止等驱动时刻的开关晶体管、和用于控制有机EL元件的发光量的驱动晶体管。对于这些薄膜晶体管，优选分别具有出色的晶体管特性，进行了各种研究。例如，对于开关晶体管而言，需要进一步降低截止电流，并降低导通电流和截止电流这两者的偏差。此外，对于驱动晶体管而言，需要进一步提高导通电流的同时降低导通电流的偏差。此外，在现有技术中，作为这种薄膜晶体管的沟道形成区域，例如采用了非晶硅膜 (非晶质硅膜)，在非晶质硅膜中，由于无法增大沟道层中的载流子移动度，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.13 JP 2011-1545311.一种显示装置，其具备显示元件、和控制所述显示元件的发光的薄膜晶体管，其中， 所述薄膜晶体管具备栅电极，其形成在绝缘性支撑基板上；栅极绝缘膜，其在所述基板上形成为覆盖所述栅电极；沟道层，其形成在所述栅极绝缘膜上；沟道保护层，其形成在所述沟道层的上表面；一对接触层，形成在所述沟道保护层的上表面，且与所述沟道层连接；和源电极及漏电极，分别与一对所述接触层连接，一对所述接触层具有与所述沟道层的侧面相接的界面。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述沟道保护层以与所述沟道层相同的形状形成。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，若将所述源电极与所述漏电极之间的距离设为Lch，将栅电极的长度设为Lgm、将所述沟道层的长度设为Lsi，则 Lch < Lsi < Lgm04.一种薄膜晶体管，其用于显示装置中，该薄膜晶体管具备栅电极，其形成在绝缘性支撑基板上；栅极绝缘膜，其在所述基板上形成为覆盖所述栅电极；沟道层，其形成在所述栅极绝缘膜上；沟道保护层，其形成在所述沟道层的上表面；一对接触层，形成在所述沟道保护层的上表面，且与所述沟道层连接；和源电极及漏电极，分别与一对所述接触层连接，一对所述接触层具有与所述沟道层的侧面相接的界面。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述沟道保护层以与所述沟道层相同的形状形成。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，若将所述源电极与所述漏电极之间的距离设为Lch，将...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤一郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：