【技术实现步骤摘要】
本公开涉及存储器控制器，并且更具体地涉及用于非易失性半导体存储器的存储器控制器。
技术介绍
这里提供的背景描述是用于一般地呈现本公开的上下文的目的的。当前指定的专利技术人在本背景部分所描述的工作以及在提交时不能充当现有技术的描述的各方面不被明确地或隐含地承认作为针对本公开的现有技术。现在参考图1、2A和2B，非易失性半导体存储器10可以包括闪存、静态随机存取存储器(SRAM)、氮化物只读存储器(NROM)、相变存储器、磁RAM、多态存储器等。非易失性半导体存储器10可以包括一个或多个阵列16。阵列16可以被布置为B个存储块18-1、18-2，· · ·，以及18-B (总称为块18)。在图2A中，每个块18包括P个页20-1、20_2，· · ·，以及20-P(总称为页20)。在图2B中，每个页20可以包括与数据部分24相关联的多个存储单元，并且可以包括与诸如错误检查与校正(ECC)数据或其它(O)开销数据之类的开销数据部分26相关联的其它存储单元。非易失性半导体存储器10通常与主机设备的存储器控制器通信。通常，控制器利用硬连线(hardwired)块大小来对...
【技术保护点】
一种存储器控制器，包括：类型确定模块，被配置为在所述存储器控制器操作期间，确定所述存储器控制器所连接的存储器的类型，其中，所述存储器包括包含多个页的存储器块，并且其中，每个页包括多个存储器单元；页配置模块，被配置为基于被确定为与所述存储器控制器连接的存储器的类型来生成存储器映射，其中，所述存储器映射针对存储器块中的每个页指定(i)用于存储数据的存储单元的数目以及(ii)用于存储开销的存储单元的数目，其中，所述多个页中的第一页中用于存储数据的存储单元的数目和用于存储开销的存储单元的数目被配置为与所述多个页中的第二页中用于存储数据的存储单元的数目和用于存储开销的存储单元的数目不同。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：潘塔斯·苏塔迪嘉，
申请(专利权)人：马维尔国际贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：
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