【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储设备，特别是涉及一种闪存管理方法和系统。
技术介绍
闪存是一种基于半导体的存储器，具有功耗低、容量大、访问速度高、无机械故障，以及数据非易失性的优点。随着闪存存储容量的飞速增长，人们对数据操作的灵活性提出了越来越高的要求。闪存，尤其是NAND Flash已经广泛应用于移动存储设备中，如U盘，SD卡等。由于闪存的特性，块是闪存中擦除的最小单位，即必须整块先擦除后再编程(编程即数据写入)，对NAND Flash的写入操作只能在空的或已擦除的块内进行，故大多数情况下写入操作须要先执行擦除操作。传统的闪存管理方法都是将闪存以块为单位划分成数据区和交换区，交换区中的块用于随机临时存储写入闪存的数据。以块为单位的闪存管理方法的缺点是在闪存进行频繁的随机擦除操作时，当随机擦除的块在闪存内非均匀分布时，即总是多次、频繁擦除部分块，其它块被擦除的次数较少，这样当某一块、或几块擦除次数达到极限，则影响闪存的使用寿命。特别是在随机频繁擦的地址不连续的系统中，由于要不断的进行随机块擦除操作，由于每个闪存块的擦除次数是有限的，当某闪存块的擦除次数达到其使用寿命时，其它闪...
【技术保护点】
一种闪存管理方法，包括以下步骤：当对闪存的数据区中的任一有效块执行一次擦除操作时，记录擦除块的擦除次数；将闪存的交换区中擦除次数最少的有效块与所述数据区的进行擦除操作的有效块进行交换；更新闪存中有效块的逻辑地址与物理地址之间的映射关系。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卢辉伟，李志雄，邓恩华，
申请(专利权)人：深圳市江波龙电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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