处理具有非易失性存储器的系统的未完全关闭技术方案

公开了系统和方法，用于处理具有非易失性存储器(“NVM”)的系统的未完全关闭。在某些实施例中，该系统可以利用从索引页获取的信息，以便于在未完全关闭事件之后更如高效地重建逻辑-物理映射。在其它实施例中，该系统可以通过利用存储在NVM中的上下文信息来重建逻辑-物理映射。在另外的实施例中，上下文信息可以结合索引页使用，在未完全关闭之后重建逻辑-物理映射。

【技术实现步骤摘要】
处理具有非易失性存储器的系统的未完全关闭
本专利技术公开涉及具有非易失性存储器的系统的未完全关闭的处理。
技术介绍
NAND闪存以及其它类型的非易失性存储器(“NVM”)通常被用于大容量存储。例 如，诸如便携式媒体播放器的消费者电子产品通常包括闪存来存储音乐、视频和其它媒体。NVM可以包括多个索引页以提供逻辑地址和物理地址之间的映射。在一些情况下， 对应于最近写入的用户数据的映射信息被存储在设备的易失性存储器中，以便于更快读取 出来。这种映射信息可以周期性地从易失性存储器清除到NVM的索引页，以提供对该信息 的长期存储。当具有NVM的电子设备完全关闭时，存储在索引页中的信息可以直接用来在易失 性存储器中重建逻辑-物理映射。然而，当电子设备没有完全关闭时，至少某些索引页可能 会过时，这是因为该设备可能没有将最近的映射信息完全清除到索引页。结果，该设备可能 需要扫描整个NVM，以便在易失性存储器中重建逻辑-物理映射。这种处理浪费了很多时 间。
技术实现思路
公开了用于处理具有非易失性存储器的系统的未完全关闭(unci ear shutdown) 的系统和方法。在某些实施例中，该系统可以利用从索引页获取的信息，以便在未完全关闭 之后更加高效地重建逻辑-物理映射。如在此所用，“索引页”可以是NVM的页，其存储文件 系统所用的逻辑地址和数据页(例如，存储用户数据的NVM的页)的物理地址之间的映射。在其它实施例中，该系统可以通过利用同样存储在NVM中的上下文信息来重建逻 辑-物理映射。如在此所用，“上下文信息”可以指在特定时间点与整个NVM的状态相关 的信息。在更多实施例中，上下文信息可以与索引页联合使用以在未完全关闭之后重建逻 辑-物理映射。附图说明根据以下详细说明，结合相应附图，本专利技术的以上和其它方面和优点将变得更加 显著，其中相同的参考符号始终表不相同的部件，其中图1和2是根据本专利技术各种实施例所配置的电子设备的框图3是根据本专利技术各种实施例的存储器映射架构的示例性框图4是根据本专利技术各种实施例的用于处理未完全关闭事件的示例性方法的流程 图5是根据本专利技术各种实施例的用于比较索引页的年龄和数据页的年龄的示例 性方法的流程图6是根据本专利技术各种实施例的用于处理未完全关闭事件的另一个示例性方法的流程图；图7是根据本专利技术各种实施例的用于处理未完全关闭事件的再一个示例性方法的流程图；图8是根据本专利技术各种实施例的用于处理未完全关闭事件的示例性控制电路的框图；和图9是根据本专利技术各种实施例的用于处理未完全关闭事件的另一个示例性控制电路的框图。具体实施例方式提供了用于处理具有非易失性存储器的系统的未完全关闭的系统和方法。特别地，系统的NVM接口可以利用从索引页获取的信息，以便在未完全关闭之后更加高效地重建逻辑-物理映射。如在此所用，“索引页”可以是NVM的页，其用于存储文件系统所用的逻 辑地址和数据页(例如，存储用户数据的NVM的页)的物理地址之间的映射。例如，NVM接口可以通过扫描索引页来获得索引页的年龄，执行重建。NVM接口接着可以对索引页的年龄和对应数据页的年龄进行比较，并确定特定索引页与对应数据页相比是更年轻(例如，更新)还是更老。如果NVM接口确定索弓I页的年龄比对应数据页的年龄更老，那么NVM接口可以确定索引页是不可靠的(例如，索引页没有由于数据页被更新而被更新)。因此，NVM接口可以扫描更年轻的数据块，来重建逻辑-物理映射。相反，如果NVM接口确定索引页的年龄不比对应数据页的年龄更老，那么NVM接口可以确定索引页是可靠的(例如，索引页在数据页被更新之后或者同时被更新)。因此，NVM接口可以使用索引页中存储的映射来在易失性存储器中重建映射。在某些实施例中，系统可以通过利用存储在NVM中的上下文信息来重建逻辑-物理映射。如在此所用，“上下文信息”可以指在特定时间点与整个NVM的状态相关的信息。在其它实施例中，上下文信息可以与索引页联合使用，以在未完全关闭之后重建逻辑-物理映射。图1示出了电子设备100的框图。在某些实施例中，电子设备100可以是或者可以包括便携式媒体播放器、蜂窝电话、袖珍个人电脑、个人数字助理(“PDA”)、桌上电脑、膝上电脑、以及任意其它合适类型的电子设备。电子设备100可以包括片上系统(“SoC”)110和非易失性存储器(“NVM”)120。非易失性存储器120可以包括基于浮动栅极或者电荷俘获技术的NAND闪存、NOR闪存、可擦除可编程只读存储器(“EPR0M”)、电可擦除可编程只读存储器(“EEPR0M”)、铁电RAM ( “FRAM”)J|^iRAM( “MRAM”)、或其任意组合。NVM120可以被组织成“块”，这是最小的可擦除单元，还可被组织成“页”，这是可以被编程或者读取的最小单元。在某些实施例中，NVM120可以包括多个集成电路，其中每个集成电路可以具有多个块。相应集成电路的存储位置(例如，块或者块中的页)可以形成“超级块”。NVM120的每个存储位置(例如，页或块)可以利用物理地址(例如，物理页地址或者物理块地址)来引用。NVMl20的一个或多个页可以是数据页，其可以被用来存储与SoCl 10或设备100的组件的一般操作相关的数据。另外，NVM120的一个或多个页可以被用来存储索引表。在逻 辑扇区被直接映射到物理页的实施例中，逻辑-物理映射可以被存储在索引表中。如在此 所用，“逻辑-物理映射”可以是在一个或多个逻辑地址(例如，逻辑扇区)和数据页的物理 页地址之间的映射。例如,索引表可以保存NVM120的数据页的物理地址。在某些情况下，索引表可以包括多个索引页，其中每个索引页可以将逻辑地址映 射到数据页的一个或多个物理地址。索引表和索引页将结合图3进行更详细的描述。片上系统110可以包括SoC控制电路112、存储器114、以及NVM接口 118。SoC控 制电路112可以控制SoCIIO以及SoCIIO或设备100的其它组件的一般操作和功能。例如， 响应于用户输入和/或应用程序或操作系统的指令，SoC控制电路112可以将读取或写入命 令定布给NVM接口 118以从NVMl20获取数据，或将数据存储在NVMl20中。为了清晰，SoC 控制电路112可以请求存储或检索的数据被称为“用户数据”，尽管该数据可能并非与用户 或用户应用程序直接相关。相反，用户数据可以是SoC控制电路112 (例如，通过应用程序 或者操作系统)生成或者得到的任意适当的数字信息序列。SoC控制电路112可以包括硬件、软件和固件的任意组合，以及可操作来驱动电子 设备100的功能的任意组件、电路或者逻辑。例如，SoC控制电路112可以包括在NVM120或 者存储器114中存储的软件/固件的控制下进行操作的一个或多个处理器。存储器114可以包括任意适当类型的易失性存储器，诸如随机存取存储器 (“RAM”)(例如，静态RAM( “SRAM”)、动态随机存取存储器(“DRAM”)、同步动态随机存取 存储器(“SDRAM”)、双倍速率(“DDR”)RAM)、高速缓存、只读存储器(“ROM”)、或其任意 组合。存储器114可以包括数据源，其能够临时存储用户数据，该用户数据能够被编程到非 易失性存储器120中或者从中被读取。在一些实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于从设备故障进行恢复的方法，所述方法包括：检测未完全关闭事件已经发生；扫描非易失性存储器(“NVM”)的多个索引页以获取所述多个索引页的年龄；将所述多个索引页的年龄与所述NVM的与所述多个索引页对应的数据页的年龄进行比较；以及至少部分地基于所述比较，确定所述多个索引页的每个索引页的可靠性。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：V·科麦尔尼斯基，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：