【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于计算机存储
，具体涉及。
技术介绍
相变存储器(Phase Change Memory, PCM)是一种新型的非易失性存储器，它有着高密度、低功耗、高速读写等性能，并已开始在嵌入式系统中使用以替代传统的NOR存储器。尽管相变存储器比NOR的寿命要持久，但它还是摆脱不了寿命有限的困局。一个典型的相变存储器单元能够承受IO7到IO9次写操作，而向同一个相变存储器单元重复地写将可能在几秒钟内就对该单元造成破坏，这就为相变存储器在嵌入式系统中的使用带来了很大的挑战。近年来随着相变存储器容量的不断增大，它可以存储文件系统的元数据以及页表等关键信息，对这些信息的频繁更新将加速相变存储器寿命的缩短。由于嵌入式系统主要面向各类特定应用，若能考虑到访存模式、更新频率等嵌入式应用的内在特征，并结合这些特征进行优化，那么相变存储器的优势在嵌入式系统中将发挥的更加明显。此外，嵌入式系统中的有限资源也为相变存储器的有效管理带来了挑战。针对相变存储器在嵌入式系统中的有效利用的研究已经展开，这些研究主要从系统结构级、软件级和编译级等方面进行优化，并在相变存储器的寿命及损耗...
【技术保护点】
一种相变存储器的损耗均衡方法，其特征是包括以下步骤：判定相变存储器中频繁写的热区和不频繁写的冷区；将热区与相邻冷区物理位置交换，实现热区移动，直至热区遍及全部存储区后再循环移动；通过逻辑LA?物理PA地址的转换公式获得需要访问的相变存储器物理地址。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘铎，沙行勉，诸葛晴凤，王添正，邵子立，谭玉娟，梁靓，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：
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