【技术实现步骤摘要】
传送部件
本技术属于集成电路制造
,涉及一种具有反应腔的沉积设备,特别是涉及一种设置于该沉积设备的反应腔外且用于传送晶圆至反应腔中的传送部件。
技术介绍
在集成电路制造工艺中,对于小图形,其分辨率受晶圆表面的条件影响很大,随着特征图形尺寸减小到亚微米级,芯片制造工艺对低缺陷密度的要求越来越迫切,对晶圆上沉积薄膜的质量要求也越来越高,其厚度的均匀性不仅会影响到后续工艺的正常进行,也会影响到器件的电性能和机械性能,并进而影响到器件的成品率及产量。薄膜沉积的方法主要分为物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)和化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)两大类。其中,化学气相沉积(Chemical vapor deposition, CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V ...
【技术保护点】
一种传送部件,其特征在于,所述传送部件至少包括:多个圆台防滑栓,其上表面用于与晶圆相贴合;传送部件本体,包括一平板部、开设于所述平板部上用于容置机械手的凹槽部、以及设置在所述凹槽部外的平板部中的多个通槽,其中,所述通槽与所述圆台防滑栓相匹配且供所述圆台防滑栓从平板部下表面嵌入,且所述通槽的深度略小于该圆台防滑栓的高度;固定盘,固定贴合于所述传送部件本体的平板部的下表面,且同时与所述圆台防滑栓的下表面相贴合。
【技术特征摘要】
1.一种传送部件,其特征在于,所述传送部件至少包括 多个圆台防滑栓,其上表面用于与晶圆相贴合; 传送部件本体,包括一平板部、开设于所述平板部上用于容置机械手的凹槽部、以及设置在所述凹槽部外的平板部中的多个通槽,其中,所述通槽与所述圆台防滑栓相匹配且供所述圆台防滑栓从平板部下表面嵌入,且所述通槽的深度略小于该圆台防滑栓的高度;固定盘,固定贴合于所述传送部件本体的平板部的下表面,且同时与所述圆台防滑栓的下表面相贴合。2.根据权利要求I所述的传送部件,其特征在于所述凹槽部的深度大于所述机械手的厚度。3.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:许亮,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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