一种传送部件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种传送部件，该传送部件包括加热底盘、陶瓷环、气缸以及多个陶瓷钉，所述加热底盘上均匀地设有多个孔，所述多个陶瓷钉分别穿过所述多个孔立放在所述陶瓷环上，所述气缸上设有金属杆，所述金属杆与所述陶瓷环通过内六角螺丝及内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并且所述内六角螺丝与所述内六角螺母的裸露部分罩有陶瓷盖，从而方便拆卸金属杆时借力，避免拆卸金属杆时损伤陶瓷环，节约了成本，并且降低了内六角螺丝及内六角螺母被氧化腐蚀的概率及程度。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路制造
，尤其涉及一种应用于CVD制造机台反应腔的传送部件。
技术介绍
在超大规模集成电路(ULSI)制造工艺中，随着电路尺寸的不断缩小，开始通过增加淀积层数的方法，在垂直方向上进行拓展。这些增加的层在器件、电路中起到各种不同的作用，主要可作为栅电极、多层布线的层间绝缘膜、金属布线、电阻、表面钝化等。对于小图形，其分辨率受晶片表面的条件影响很大，随着特征图形尺寸减小到亚微米级，芯片制造工艺对低缺陷密度的要求越来越迫切，对沉积薄膜的质量要求也越来越高，其厚度的均勻性不仅会影响到后续工艺的正常进行，也会影响到器件的电性能和机械性能，并进而影响到器件的成品率及产量。所谓沉积是指一种以物理方式沉积在晶片表面上的工艺过程，薄膜沉积的方法包括化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)法和物理气相沉积(PVD，Physical Vapor Deposition)法两大类。其中，化学气相沉积是含有薄膜所需要的原子和分子的化学物质在反应室内混合并在气态下发生反应，其原子或分子淀积在晶片表面聚集形成薄膜的过程。化学气相沉积因其工艺较为简单、不需高真空、便于制备复合产物、淀积速率高，以及淀积的各种薄膜具有良好的阶梯覆盖性能等优点在半导体器件的制造中被广泛使用。化学气相沉积需使用CVD制备机台，CVD制备机台的生产效率很大程度上决定了半导体晶圆代工厂的生产效率，为了提高CVD制备机台的生产效率，在CVD制备机台的反应腔内设计了一个比较有效率的晶圆传输系统，以满足反应腔的加工需求。请参考图IA至图1B，其中图IA为现有的传送部件结构的剖面图，图IB为现有的传送部件结构的立体图，如图IA至图IB所示，现有的传送部件100包括位于反应腔1内的加热底盘101、陶瓷环102、陶瓷钉103以及位于反应腔1外的气缸104，所述气缸104上有一金属杆105，所述金属杆105与所述陶瓷环102相连，所述气缸104通过波纹管2进行密封，从而使所述反应腔1形成封闭的腔室，其中陶瓷环102包括支撑部件10 及固定在所述支撑部件10 上的轴套102b，所述金属杆105与所述轴套102b相连；所述加热底盘 101上均勻地设有4个孔，所述陶瓷钉103的数量为4个，所述4个陶瓷钉103分别穿过所述4个孔并立放在所述陶瓷环102的上面。所述气缸104用于驱动所述金属杆105进行上下运动，从而带动所述陶瓷环102上下运动，并进一步带动所述4个陶瓷钉103上下运动， 从而可抬升和放下晶片。请继续参考图1C，图IC为现有的陶瓷环与金属杆连接方式的示意图，如图IC所示，现有的陶瓷环102与金属杆105的连接方式为所述轴套102b上设有一通孔，所述金属杆105插入所述通孔内，所述轴套102b与所述金属杆105的侧面通过一字口螺丝106进行固定，并且所述一字口螺丝106没有完全穿通所述金属杆105。然而，现有的传送部件100存在以下问题31)由于长时间的伸缩运动，气缸104的波纹管2的密封性会变差，从而会产生漏源；2)由于反应腔1在正常工作状态下的温度是400°C，长时间处于反应腔1的400°C 高温环境下，气缸104的金属杆105会产生形变，从而使陶瓷钉103的水平升降受到影响， 造成晶片位置的偏移；3)陶瓷环102与气缸104的金属杆105通过一字口螺丝106进行固定，由于反应腔1内的电浆的影响，所述一字口螺丝106的裸露部分会发生氧化腐蚀，因此需拆换气缸 104，然而由于所述一字口螺丝106没有完全穿通所述金属杆105，从而造成拆换气缸104的同时需报废没有问题的陶瓷环102。在上述的问题中，一字口螺丝106的裸露部分发生氧化腐蚀，从而造成报废没有问题的陶瓷环102这一问题是最突出的，因此需要对陶瓷环102与气缸104的金属杆105 的固定方式进行一番改进，来减少此类问题的发生。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种传送部件，以解决现有技术中传送部件的陶瓷环的轴套与气缸的金属杆之间通过一字口螺丝固定，由于一字口螺丝的裸露部分易发生氧化腐蚀，从而造成报废没有问题的陶瓷环的问题。为解决上述问题，本技术提出一种传送部件，用于CVD制造机台的晶片传输， 该传送部件包括加热底盘、陶瓷环、气缸以及多个陶瓷钉，所述加热底盘上均勻地设有多个孔，所述多个陶瓷钉分别穿过所述多个孔立放在所述陶瓷环上，所述气缸上设有金属杆，其特征在于，所述金属杆与所述陶瓷环通过内六角螺丝及内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并且所述内六角螺丝与所述内六角螺母的裸露部分罩有陶PL1InL ο可选的，所述陶瓷环包括支撑部件及固定在所述支撑部件上的轴套，所述轴套上设有通孔，所述金属杆插入所述通孔内，所述金属杆的侧面与所述轴套的侧面通过所述内六角螺丝及所述内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述轴套。可选的，所述陶瓷盖包括第一部件及第二部件，所述第一部件包括第一底座以及与所述第一底座固定的第一圆环柱体结构，所述第一圆环柱体结构的内壁上开有多个凹槽，所述第一圆环柱体结构的侧面对称地设有第一开口，所述第一开口的尾部为第一半圆形结构；所述第二部件包括第二底座以及与所述第二底座固定的第二圆环柱体结构，所述第二圆环柱体结构的外壁上设有多个凸块，所述第二圆环柱体结构的侧面对称地设有第二开口，所述第二开口的尾部为第二半圆形结构；其中，所述凹槽与所述凸块相匹配。可选的，所述第一圆环柱体结构的内径大于所述第二圆环柱体结构的外径，且所述第二圆环柱体结构的外径与所述凸块的宽度之和大于所述第一圆环柱体结构的内径，同时小于所述第一圆环柱体结构的内径与所凹槽的深度之和。可选的，所述第一圆环柱体结构的内径大于所述内六角螺丝的螺帽的直径，所述第二圆环柱体结构的内径大于所述内六角螺母的直径。可选的，所述第一半圆形结构的直径与所述第二半圆形结构的直径相等，且所述第一半圆形结构的直径大于所述轴套的直径。4可选的，所述孔的数量为四个，所述陶瓷钉的数量为四个。本技术由于采用以上的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果(1)将现有的一字口螺丝改为内六角螺丝，方便拆卸金属杆时借力；(2)将现有的简单螺丝固定改为内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并以螺母固定，这样一来，即使出现拆卸困难，也只需将内六角螺丝强行破坏即可，避免损伤陶瓷环，从而节约了成本；(3)增加一组陶瓷盖对所述内六角螺丝及内六角螺母进行保护，降低了内六角螺丝及内六角螺母被氧化腐蚀的概率及程度，从而降低了拆卸螺丝的次数，节约了成本。附图说明图IA为现有的传送部件结构的剖面图；图IB为现有的传送部件结构的立体图；图IC为现有的陶瓷环与金属杆连接方式的示意图；图2A为本技术实施例提供的传送部件结构的立体图；图2B为本技术实施例提供的陶瓷环与金属杆连接方式的示意图；图3A为本技术实施例提供的陶瓷盖的第一部件沿A-A方向的剖面结构示意图；图;3B为本技术实施例提供的陶瓷盖的第二部件沿A-A方向的剖面结构示意图；图3C为本技术实施例提供的陶瓷盖的第一部件的俯视图；图3D为本技术实施例提供的陶瓷盖的第二部件的俯视图。具体实施方式以下结合附图和具体本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种传送部件，用于ＣＶＤ制造机台的晶片传输，包括加热底盘、陶瓷环、气缸以及多个陶瓷钉，所述加热底盘上均匀地设有多个孔，所述多个陶瓷钉分别穿过所述多个孔立放在所述陶瓷环上，所述气缸上设有金属杆，其特征在于，所述金属杆与所述陶瓷环通过内六角螺丝及内六角螺母固定，所述内六角螺丝穿通所述金属杆与所述陶瓷环，并且所述内六角螺丝与所述内六角螺母的裸露部分罩有陶瓷盖。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雄博，王昕昕，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31