半导体器件的制造方法技术

制备镜面抛光的CZ晶片和FZ晶片（1）。在CZ晶片的第一主表面的表面层上形成作为第一隔离区部分（21）的第一杂质区。将CZ晶片的第一主表面和FZ晶片（1）的第一主表面粘合在一起。通过分子间结合来结合CZ晶片的第一主表面和FZ晶片（1）的第一主表面。在FZ晶片（1）的第二主表面的表面层上形成作为第二隔离区部分（22）的第二杂质区。通过热处理扩散第一杂质区和第二杂质区来形成硅贯通隔离区（20），从而使第一杂质区和第二杂质区变成一个连接区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
具有高击穿电压的分立半导体在功率转换设备中起重要的作用。例如，绝缘栅双极晶体管(IGBT)或绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)已知为分立半导体。具体而言，由于IGBT具有通过电导率调制来减小导通电压的特性，因此它适用于在高电压处需要功率转换的情况。近年来，已开发了具有端接结构的反向阻断IGBT (RB-IGBT)，其中当向包括IGBT的集电极区和漂移区的Pn结施加反向偏压时获取高击穿电压(在下文中称为反向击穿电压)。例如，反向阻断IGBT开始施加到AC (交流)/AC直接转换设备。 图26是示出根据现有技术的反向阻断IGBT的截面图。图26所示的反向阻断IGBT包括其中在n_晶片101中形成将作为n_漂移区的IGBT的元件结构的有源区100、以及包围有源区100的击穿电压结构110。在有源区100中，例如，包括P基极区或n+发射极区、栅电极、以及发射电极的平面栅型IGBT的表面元件结构在晶片101的第一主表面中形成。P集电极区102设置在晶片101的整个第二主表面上。集电电极103与P集电极区102接触。在击穿电压结构110中，多个P型区111以及与P型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁鸿飞，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：
国别省市：