本实用新型专利技术涉及一种半导体激光器芯片的散热结构，该散热结构包括下底座，在下底座的中部开设有凹槽，半导体激光器芯片放置于凹槽中，在凹槽的底部设置有散热管，散热管上设置有导热基板，半导体激光器芯片设置在导热基板的上端面，凹槽的内壁周围开设有插槽，插槽内插有散热片，在散热片插入插槽后，散热片与半导体激光器芯片的外壁接触，及设置在下底座上对半导体激光器芯片上端面边缘进行压紧的压紧装置，散热片能够对半导体激光器芯片侧面产生的热量散发出去，而设在芯片下端的散热管能够对芯片的下部进行散热，从而提高散热效率，完全满足半导体激光器芯片的散热要求，能够使半导体激光器具有稳定的高功率激光输出。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光电
中的半导体激光器，具体涉及一种半导体激光器芯片的散热结构。
技术介绍
半导体激光器 芯片的散热一直是行业内的一个难题，在半导体激光器使用过程中，当芯片的热量累积到一定程度时，半导体激光器就会由于芯片过热，导致激光簇灭，限制了高功率激光输出，而现有芯片的散热结构散热效果不好，不能够满足芯片的散热要求。
技术实现思路
针对上述技术问题，本技术提供一种半导体激光器芯片的散热结构，其能够对半导体激光器芯片的底面及侧面进行同时散热，散热效果好，满足半导体激光器芯片的散热要求，能够使半导体激光器具有稳定的高功率激光输出。实现本技术的技术方案如下半导体激光器芯片的散热结构，该散热结构包括下底座，在下底座的中部开设有凹槽，半导体激光器芯片放置于凹槽中，在凹槽的底部设置有散热管，所述散热管上设置有导热基板，所述半导体激光器芯片设置在导热基板的上端面，所述凹槽的内壁周围开设有插槽，插槽内插有散热片，在散热片插入插槽后，散热片与半导体激光器芯片的外壁接触，以及设置在下底座上对半导体激光器芯片上端面边缘进行压紧的压紧装置。所述压紧装置包括均布在下底座上的多个压紧块，以及将压紧块固定在下底座上的螺钉，所述压紧块的压紧端压在半导体激光器芯片上端面边缘。所述散热管盘设在凹槽底部，散热管的一端为进口端，另一端为出口端，所述散热管的进口端、出口端分别穿过下底座露在下底座的外部。所述散热片为散热铝片。采用了上述方案，散热片能够对半导体激光器芯片侧面产生的热量散发出去，而设置在芯片下端的散热管能够对芯片的下部进行散热，从而提高散热效率，完全满足半导体激光器芯片的散热要求，能够使半导体激光器具有稳定的高功率激光输出。附图说明图I为本技术的结构示意图；图中，I为下底座,2为凹槽,3为半导体激光器芯片,4为散热管,5为导热基板,6为插槽，7为散热片，8为压紧块，9为螺钉，10为压紧块的压紧端，11为进口端，12为出口端。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术进一步说明。参见图1，半导体激光器芯片的散热结构，该散热结构包括下底座1，在下底座的中部开设有凹槽2，半导体激光器芯片3放置于凹槽2中，在凹槽的底部设置有散热管4，散热管4上设置有导热基板5，导热基板与凹槽的内部紧密配合，在导热基板安装到位后，导热基板的下表面与散热管贴合，上表面为一平整的安装面；半导体激光器芯片设置在导热基板的上端面，凹槽的内壁周围开设有若干个插槽6，每个插槽内插有一散热片7，在散热片插入插槽后，散热片与半导体激光器芯片的外壁接触，散热片均匀的分布在半导体激光器芯片的周围，以及设置在下底座上对半导体激光器芯片上端面边缘进行压紧的压紧装置，压紧装置包括均布在下底座上的多个压紧块8，以及将压紧块固定在下底座上的螺钉9，压紧块的压紧端10压在半导体激光器芯片3上端面边缘。其中，散热管4盘设在凹槽底部，散热管的一端为进口端11，另一端为出口端12，散热管的进口端、出口端分别穿过下底座露在下底座的外部；具体实施时，散热片为散热铝片。·权利要求1.半导体激光器芯片的散热结构，其特征在于该散热结构包括下底座，在下底座的中部开设有凹槽，半导体激 光器芯片放置于凹槽中，在凹槽的底部设置有散热管，所述散热管上设置有导热基板，所述半导体激光器芯片设置在导热基板的上端面，所述凹槽的内壁周围开设有插槽，插槽内插有散热片，在散热片插入插槽后，散热片与半导体激光器芯片的外壁接触，以及设置在下底座上对半导体激光器芯片上端面边缘进行压紧的压紧装置。2.根据权利要求I所述的半导体激光器芯片的散热结构，其特征在于所述压紧装置包括均布在下底座上的多个压紧块，以及将压紧块固定在下底座上的螺钉，所述压紧块的压紧端压在半导体激光器芯片上端面边缘。3.根据权利要求I或2所述的半导体激光器芯片的散热结构，其特征在于所述散热管盘设在凹槽底部，散热管的一端为进口端，另一端为出口端，所述散热管的进口端、出口端分别穿过下底座露在下底座的外部。4.根据权利要求I或2所述的半导体激光器芯片的散热结构，其特征在于所述散热片为散热铝片。专利摘要本技术涉及一种半导体激光器芯片的散热结构，该散热结构包括下底座，在下底座的中部开设有凹槽，半导体激光器芯片放置于凹槽中，在凹槽的底部设置有散热管，散热管上设置有导热基板，半导体激光器芯片设置在导热基板的上端面，凹槽的内壁周围开设有插槽，插槽内插有散热片，在散热片插入插槽后，散热片与半导体激光器芯片的外壁接触，及设置在下底座上对半导体激光器芯片上端面边缘进行压紧的压紧装置，散热片能够对半导体激光器芯片侧面产生的热量散发出去，而设在芯片下端的散热管能够对芯片的下部进行散热，从而提高散热效率，完全满足半导体激光器芯片的散热要求，能够使半导体激光器具有稳定的高功率激光输出。文档编号H01S5/024GK202797603SQ20122031556公开日2013年3月13日 申请日期2012年6月29日 优先权日2012年6月29日专利技术者黄方 申请人:无锡中铂电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
半导体激光器芯片的散热结构，其特征在于：该散热结构包括下底座，在下底座的中部开设有凹槽，半导体激光器芯片放置于凹槽中，在凹槽的底部设置有散热管，所述散热管上设置有导热基板，所述半导体激光器芯片设置在导热基板的上端面，所述凹槽的内壁周围开设有插槽，插槽内插有散热片，在散热片插入插槽后，散热片与半导体激光器芯片的外壁接触，以及设置在下底座上对半导体激光器芯片上端面边缘进行压紧的压紧装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄方，
申请(专利权)人：无锡中铂电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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