半导体激光器元件及其制造方法技术

在此公开一种半导体激光器元件，其包括：位于衬底上的激光器结构部，该激光器结构部构造成包括顺次具有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述p型半导体层的顶部上的p侧电极；设置在所述半导体层叠结构的两对立横向侧的一对谐振器边缘；和设置在所述激光器结构部的顶侧的、包括所述谐振器边缘的位置的区域中的、并由具有比周围气体更高热传导率的非金属材料制成的膜。

【技术实现步骤摘要】
本公开具体涉及适合用作边缘发射半导体激光器的半导体激光器元件及其制造方法。
技术介绍
半导体激光器输出变得越高，则在谐振器的边缘所产生的热的量越大，从而可能因对边缘的破坏而导致使用寿命较短。对边缘的破坏发生在以下机制中。S卩，当电流被注入时，非辐射重组合电流经由边缘上存在的表面准位(surfacelevel)而流动。载流子密度在边缘附近比在该激光器内部高，因此导致大的光吸收(photoabsorption)。此光吸收产生热，从而减小在主发射边缘附近的能带隙(bandgap energy)并且引致甚至更大的光吸收。这种正反馈过程在具有高光功率密度的主发射边缘引起温度的过度增加。作为一种适用于抑制以上正反馈所造成的边缘的发热的结构，例如，日本专利特许公开No. Hei 10-75008 (下文称为专利文献I)描述了在边缘的整个表面上形成P侧电极以确保从边缘的适当散热。然而，专利文献I所描述的相关技术中的该结构引起P侧电极在裂解(cleavage)期间受牵拉,从而导致边缘上P侧电极的悬垂或P侧电极的剥离。在另一方面，作为一种适用于防止P侧电极的悬垂和剥离的结构，日本专利特许公开No. 2002-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器元件，包括：位于衬底上的激光器结构部，该激光器结构部构造成包括：顺次具有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述p型半导体层的顶部上的p侧电极；设置在所述半导体层叠结构的两对立横向侧的一对谐振器边缘；和设置在所述激光器结构部的顶侧的、包括所述谐振器边缘的位置的区域中的、并由具有比周围气体更高热传导率的非金属材料制成的膜。

【技术特征摘要】
2011.07.27 JP 2011-1641681.一种半导体激光器兀件,包括 位于衬底上的激光器结构部，该激光器结构部构造成包括顺次具有η型半导体层、活性层和P型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述P型半导体层的顶部上的P侧电极；设置在所述半导体层叠结构的两对立横向侧的一对谐振器边缘；和设置在所述激光器结构部的顶侧的、包括所述谐振器边缘的位置的区域中的、并由具有比周围气体更高热传导率的非金属材料制成的膜。2.如权利要求I所述的半导体激光器元件，其中，所述非金属材料比所述P侧电极的材料更脆。3.如权利要求I所述的半导体激光器元件，其中，所述非金属材料比所述P侧电极的材料具有更闻电阻。4.如权利要求I所述的半导体激光器元件，其中，所述非金属材料是从AIN、SiC、金刚石和类金刚石碳的组中选择的至少一种。5.如权利要求I所述的半导体激光器元件，其中，每一个所述膜的面内形状被分割成较小的部分。6.如权利要求I所述的半导体激光器元件，其中，每一个所述膜的面内厚度有变化。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：本乡一泰，福元康司，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：