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在此公开一种半导体激光器元件，其包括：位于衬底上的激光器结构部，该激光器结构部构造成包括顺次具有n型半导体层、活性层和p型半导体层的半导体层叠结构、和位于所述p型半导体层的顶部上的p侧电极；设置在所述半导体层叠结构的两对立横向侧的一对谐振器...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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