高热负载大功率半导体激光器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高热负载大功率半导体激光器，其包括壳体、TEC制冷器、热沉、半导体激光器芯片组件、电路板，所述的半导体激光芯片组件为基于COS封装的芯片组件，其包括散热基板和粘贴在散热基板上的激光芯片，散热基板粘贴在热沉上；所述的电路板为表面金属涂覆陶瓷电路板，且电路板与半导体激光器芯片组件之间通过连接铜片相电连接。本实用新型专利技术半导体激光器散热效果较好，可实现大功率激光器的制造。同时，半导体激光芯片采用粘贴的方式与热沉固定在一起，不会变形或位移，能克服机械及温度等变化带来的对产品的影响，保证了产品的可靠性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种激光器件，其可在光通信、光加工、光显示等系统中作为光源使用。
技术介绍
半导体激光器因其波长的扩展、高功率激光阵列的出现以及可兼容的激光导光和激光能量参数微机控制的出现而迅速发展。半导体激光器体积小、重量轻、成本低、波长可选择，其应用范围遍及的领域越来越宽广。现有高热负载半导体激光器通常主要由管壳、设置在管壳内的制冷器、热沉以及固定在热沉上的半导体激光芯片组件组成。其中，半导体激光芯片组件一般采用C-mount封装方式，如图5所示。其包括导热基板10、固定在导热基板10上的激光芯片20、开设在导热基板10上的螺孔30以及连接激光芯片20与电源的引线40。该激光芯片组件通过螺钉固定到金属热沉(图中未显示)上，并通过引线40与电源连接实现通光。这种C-mount封装方式，由于结构限制，导热基板10有效面积小，同时与热沉接触的面积有限，导致光功率偏小，一般只能在8W以下。而且，由于半导体激光芯片组件仅能通过一颗螺钉固定在热沉上，稳定性差，在使用过程中，激光芯片组件的位置容易发生变化，这在微米量级的光纤耦合系统中很容易导致光耦合效率下降，从而导致半导体激光器的可靠性较低。技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高热负载大功率半导体激光器，其包括：壳体(1)，所述的壳体(1)侧壁上固定安装有多个管脚(11)；TEC制冷器(2)，其烧焊在所述管壳(1)内；热沉(3)，其固定在所述的TEC制冷器(2)上；半导体激光器芯片组件(4)，其设置在所述的热沉(3)上，用于产生激光光源；电路板(5)，其连接在所述的半导体激光器芯片组件(4)与管脚(12)之间，用于实现电光转换；其特征在于：所述的半导体激光芯片组件(4)为基于COS封装的芯片组件，其包括散热基板(41)和粘贴在散热基板(41)上的激光芯片(42)，所述的散热基板(41)粘贴在所述的热沉(3)上；所述的电路板(5)为表面金属涂覆陶瓷电路板，且所述的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩尧，田国光，李军，凌勇，孙松涛，李琮，马永坤，徐连强，
申请(专利权)人：苏州华必大激光有限公司，
类型：实用新型
国别省市：