功率型LED器件陶瓷封装基座制造技术

一种功率型LED器件陶瓷封装基座，它是由陶瓷上件、陶瓷下件、紫铜座芯及螺杆、4J42铁镍合金基板和引线五部分组成五部分组成。陶瓷上件、陶瓷下件与紫铜座芯、4J42铁镍合金基板、螺杆顺序紧配共同钎焊。陶瓷上件提供基座的反射腔，陶瓷下件底板四面经金属化工艺印刷布线为陶瓷金属化电极板并外伸引线，底板中央设有圆孔，中央圆孔置紫铜座芯并延长为螺杆。紫铜座芯为一圆柱体，紫铜上部为紫铜座芯，下部延长为螺杆。紫铜座芯为芯片安装区和二次光学组件安装区，4J42铁镍合金为基座基板。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种功率型LED半导体照明器件陶瓷封装基座，尤其是能够适用功率1W-3WLED半导体照明器件散热技术的陶瓷封装基座。
技术介绍
功率型LED的功率为瓦(W)级。在大功率领域,LED封装向大功率方向发展迅猛，目前比较成熟的商品化的大功率LED输入功率一般为1W，芯片面积其热流密度达到了 lOOW/cm2，如此高的热流密度如不采取有效的导热、散热措施，就会使LED芯片结温过高，芯片出射光子减少，发光效率降低。另一方面，结温的升高还会使芯片的发射光谱峰值波长偏离，导致单色光颜色或白光色温出现变化。随着温度的升高，LED的光效不断下降，寿命也随之大幅度缩短。LED的工作温度越低越好，因此，解决LED芯片的散热问题已成为功率型LED封装和LED照明应用的先决条件。目前，已经进入市场的LED照明器件基座主要由台湾地区和广东一些企业生产，基本采用的是两种结构形式一种是用金属引线与工程塑料成型，表面镀银；一种是印制线路板板与工程塑料成型。他们大都是模仿美国飞利浦和德国欧司朗的基座结构。两种基座虽然发展迅速，广泛使用，但一般使用的功率或是低功率LED封装，无法乘载高功率的热能，仍然有许多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率型LED器件陶瓷封装基座，基座由陶瓷上件、陶瓷下件、紫铜座芯及螺杆、4J42铁镍合金基板和引线五部分组成，陶瓷上件(2)、陶瓷下件(3)与紫铜座芯(4)、4J42铁镍合金基板(5)、螺杆(6)顺序紧配共同钎焊，陶瓷上件(2)提供基座的反射腔，陶瓷下件(3)底板四面经金属化工艺印刷布线为陶瓷金属化电极板并外伸引线，底板中央设有圆孔，中央圆孔置紫铜座芯(4)并延长为螺杆，紫铜座芯(4)为一圆柱体，紫铜上部为紫铜座芯(4)，下部延长为螺杆(6)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹金学，
申请(专利权)人：浙江长兴电子厂有限公司，
类型：实用新型
国别省市：