可调式真空磁控溅射阳极罩制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可调式真空磁控溅射阳极罩，包括固定在靶背面的阳极罩，阳极罩的外侧面上设置有阳极罩溅射孔，其中，在阳极罩溅射孔的一侧设置有可以调节的活动挡板，所述活动挡板包括铰接在一起的上半部分和下半部分，上、下两部分挡板的非固定端绕节点运动时在阳极罩上表面移动，保证其与阳极罩上表面平行。本实用新型专利技术能灵活调节靶材的有效溅射面积，也可实现对阳极罩溅射孔上、下的宽度进行单独调整，能够处理多种工艺调节中常为出现的方阻状态。L型推杆可以对活动挡板进行调整，能够在非停机状态下对工艺进行改善，有效缩短恢复工艺时间。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属磁控溅射镀膜设备
，涉及一种改型可调式真空磁控溅射阳极罩。
技术介绍
ITO导电玻璃生产中，ITO膜层沉积一般采用物理气象沉积，属于真空磁控溅射。在磁控溅射设备中，靶材上方置有阳极罩，用来控制有效溅射面积。在制备过程中，衬底相对于靶材做横向运动，因此在一定角度内，相同功率下有效溅射面积越大等效的沉积速率相应越大。ITO膜层方阻与沉积膜层厚度有密切关系。在一定程度上ITO膜层厚度与其方阻大小成反比，即膜层厚度大的相应方阻偏小，因此可通过改变阳极罩上溅射孔纵向宽度调节相应纵向位置的方阻大小。在生产过程中由于箱体内部气氛，靶材，靶材磁场等因素影响，产品容易出现方阻较稳定，但纵向呈现渐变现象。多出现上高下低、上低下高或中间方阻与两端方阻不同的现象。目前溅射设备中阳极罩溅射孔多为固定大小，或为装有纵向宽度统一改变的活动挡板，针对上述现象均不能快速方便的解决。
技术实现思路
本技术针对现有技术中沉积ITO膜时出现的方阻大小在横向稳定但在纵向出现一致性的变化趋势的现象，提供一种能在非停机状态下通过调整纵向相应位置溅射孔宽度，实现相应纵向位置溅射速率的改变，使工艺快速达到要求状态，进而快速恢本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调式真空磁控溅射阳极罩，包括固定在靶背面的阳极罩，阳极罩的外侧面上设置有阳极罩溅射孔，其特征是：所述阳极罩溅射孔为矩形孔，在阳极罩溅射孔的一侧设置有可以调节的活动挡板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵跃林，彭春超，林果，
申请(专利权)人：许昌天地和光能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：