磁控溅射箱体布气结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种磁控溅射箱体布气结构，包括内、外两层相互套装的布气管道，内层布气管道安装在外侧布气管道内侧，两者间隔配合；内层布气管道的另一端伸出外层布气管道之外作为进气口；分别在内、外两层布气管道上设置充气孔。内层布气管道的充气孔位于内层布气管道的下表面，外布气管道的充气孔位于外层布气管道的上表面。本实用新型专利技术由单筒结构改为双筒结构，所布气体经一次膨胀后，可有效缓冲布气气流，使放气气流更为平稳，有效的提高了箱体布气均匀性。且降低了充气过程中对箱体气氛的扰动，从而保证所镀膜层的均匀性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

磁控溅射箱体布气结构
本技术属磁控溅射设备
，具体涉及一种改型磁控溅射箱体布气管道>J-U ρ α装直。
技术介绍
ITO导电玻璃生产多采用在玻璃衬底上沉积导电薄膜ΙΤ0，沉积方法为物理气象沉积(PVD)，为真空磁控溅射技术。真空磁控溅射过程中，需布工作气体，一般为氩气。工作气体气压大小直接影响溅射速率，而其在箱体内部的均匀性则直接影响靶材在溅射过程中不同位置的溅射速率。当靶材局部表面区域工作气体浓度在一定数值范围内较大时，则此区域内溅射速率相应偏高，溅射速率与成膜厚度成正比，而方阻与膜层厚度成反比，因此该区域内的膜层方阻值就会相应较小。目前常用的布气管道为单筒结构，上端为进气，另外一端无开口，首尾直径相同，上表面等距分布直径相同的圆孔。位置多固定在靶材一侧或孪生靶材中间位置。就上述工艺，在生产中成品容易出现纵向方阻呈渐变状态，从上至下横向方阻均值呈现上升或下降。分析原因主要为溅射期间溅射区域，工作气体分布不均匀，从上至下浓度呈一定梯度分布。导致靶材溅射速率纵向不均匀，相应膜层厚度纵向上呈现递增或递减，方阻纵向上呈现下降或上升。
技术实现思路
本技术针对现有技术利用真空磁控溅射法沉积ITO膜层中出现的纵向方阻不均匀现象，对箱体布气系统做相应改进，保证布气过程中工作气体均匀充入箱体内，并最大限度减小所布气体对箱体内部气体的扰动，从而保证成品方阻纵向的均匀性，提供一种磁控派射箱体布气结构。技术方案一种磁控派射箱体布气结构，包括内、外两层相互套装的布气管道，夕卜层布气管道固定在靶背面，内层布气管道安装在外侧布气管道内侧；两者间隔配合；所述外层布气管道两端封闭，内层布气管道位于外层布气管道内的一端封闭，内层布气管道的另一端伸出外层布气管道之外作为进气口 ；分别在内、外两层布气管道上设置充气孔。内层布气管道的充气孔位于内层布气管道的下表面，外布气管道的充气孔位于外层布气管道的上表面。内层布气管道的截面为圆形，外层布气管道的截面为近似矩形，所述外层布气管道的上表面向内凹陷形成凹弧面，外层布气管道的充气孔位于该凹弧面上。外层布气管道略长于祀材纵向长度；布气管道固定后外层布气管道上表面略低于靶材上表面。各充气孔为圆形孔，且内层布气管道的充气孔直径小于外层布气管道的充气孔直径。内层布气管道的充气孔之间间距从进气口向内逐渐缩小；外层布气管道的充气孔成等距均匀分布。有益效果1、本技术由单筒结构改为双筒结构，内筒开孔于下表面，外筒开孔于上表面，所布气体经一次膨胀后，可有效缓冲布气气流，使放气气流更为平稳，有效的提高了箱体布气均匀性。且降低了充气过程中对箱体气氛的扰动，从而保证所镀膜层的均匀性。2、内层布气管道充气孔的孔距由进气端至末端依次减小，有利于调整纵向上下充气量的不均衡状态。经调试工艺得到的成品测量结果，方阻纵向不均匀状况有明显改善，有效的提闻A品率。附图说明图I是本技术内、外布气管道的侧面透视图；图2是内、外层布气管道的A-A剖面结构示意图。图中标号I为内层布气管道；2为外层布气管道；3为外层布气管道的充气孔；4为内侧布气管道的充气孔；5为内侧布气管道的进气口 ；6为内侧布气管道的密封末端。具体实施方式实施例一参见图I和图2，磁控溅射箱体布气结构是将布气管道设计成内侧布气管道I和外侧布气管2道镶套的结构，两者间隔配合，均位于箱体中。所述外层布气管道2 的下表面固定于靶背板上，所述外层布气管道2上表面略低于靶材上表面。外层布气管道 2的两端封闭，内层布气管道I深入外层布气管道2的内侧底部,该端封闭,如标号6。内层布气管道I位于外层布气管道2外侧的另一端作为进气口 5，进气口 5与箱体外部及气孔相连。分别在内、外两层布气管道上设置充气孔3和4。所述外层布气管道2所开充气孔3 位于外层布气管道2的上表面；所述内层布气管道I所开充气孔4位于内层布气管道I的下表面。所述外层布气管道2所开充气孔3直径相同，且等距分布；所述内层布气管道I所开充气孔4直径值相同且略小于外层所开充气孔3直径值；所述内层布气管道I所开充气孔4非等距分布，由进气口 5至封闭末端6，各充气孔之间的间距逐渐减小。参见图2，所述内层布气管道I横截面为圆形，外层布气管道2横截面为近似矩形，上表面为略向内凹的弧形，外布气管道的充气孔位于该凹弧面上。实施本技术所述真空磁控溅射箱体内部布气管时，所布气体由内侧布气管道进气端进入，然后由内层布气管道的各充气孔进入内层布气管道与外层布气管道之间的夹层腔中，进行一次膨胀，减小充气气压，再由该夹层腔经外层布气管道的各充气孔进入箱体内部。此过程可减少各充气孔对箱体内部气氛的扰动。所述内层布气管道的各充气孔间距要求为应保证管道各段平均充气量相同。在本实例中，通过由单筒结构改为双筒结构，内筒开孔于下表面，外筒开孔为上表面，可有效缓冲布气气流，使放气气流更为平稳，保证布气均匀性。内筒开孔下部孔距减小， 有利于调整纵向上下充气量的不均衡状态。经调试工艺得到的成品测量结果，有效提高了方阻纵向均匀性，从而保证了成品A品率。权利要求1.一种磁控溅射箱体布气结构，其特征是包括内、外两层相互套装的布气管道，外层布气管道固定在靶背面，内层布气管道安装在外侧布气管道内侧；两者间隔配合；所述外层布气管道两端封闭，内层布气管道位于外层布气管道内的一端封闭，内层布气管道的另一端伸出外层布气管道之外作为进气口 ；分别在内、外两层布气管道上设置充气孔。2.根据权利要求I所述的磁控溅射箱体布气结构，其特征是内层布气管道的充气孔位于内层布气管道的下表面，外布气管道的充气孔位于外层布气管道的上表面。3.根据权利要求I所述的磁控溅射箱体布气结构，其特征是内层布气管道的截面为圆形，外层布气管道的截面为近似矩形，所述外层布气管道的上表面向内凹陷形成凹弧面， 外层布气管道的充气孔位于该凹弧面上。4.根据权利要求1-3任一项所述的磁控溅射箱体布气结构，其特征是各充气孔为圆形孔，且内层布气管道的充气孔直径小于外层布气管道的充气孔直径。5.根据权利要求1-3任一项所述的磁控溅射箱体布气结构，其特征是内层布气管道的充气孔之间间距从进气口向内逐渐缩小；外层布气管道的充气孔成等距均匀分布。专利摘要本技术公开了一种磁控溅射箱体布气结构，包括内、外两层相互套装的布气管道，内层布气管道安装在外侧布气管道内侧，两者间隔配合；内层布气管道的另一端伸出外层布气管道之外作为进气口；分别在内、外两层布气管道上设置充气孔。内层布气管道的充气孔位于内层布气管道的下表面，外布气管道的充气孔位于外层布气管道的上表面。本技术由单筒结构改为双筒结构，所布气体经一次膨胀后，可有效缓冲布气气流，使放气气流更为平稳，有效的提高了箱体布气均匀性。且降低了充气过程中对箱体气氛的扰动，从而保证所镀膜层的均匀性。文档编号C23C14/35GK202744622SQ201220372769公开日2013年2月20日 申请日期2012年7月31日 优先权日2012年7月31日专利技术者赵跃林, 彭春超, 林果 申请人:许昌天地和光能源有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控溅射箱体布气结构，其特征是：包括内、外两层相互套装的布气管道，外层布气管道固定在靶背面，内层布气管道安装在外侧布气管道内侧；两者间隔配合；所述外层布气管道两端封闭，内层布气管道位于外层布气管道内的一端封闭，内层布气管道的另一端伸出外层布气管道之外作为进气口；分别在内、外两层布气管道上设置充气孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵跃林，彭春超，林果，
申请(专利权)人：许昌天地和光能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：