【技术实现步骤摘要】
磁控溅射箱体布气结构
本技术属磁控溅射设备
，具体涉及一种改型磁控溅射箱体布气管道>J-U ρ α装直。
技术介绍
ITO导电玻璃生产多采用在玻璃衬底上沉积导电薄膜ΙΤ0，沉积方法为物理气象沉积(PVD)，为真空磁控溅射技术。真空磁控溅射过程中，需布工作气体，一般为氩气。工作气体气压大小直接影响溅射速率，而其在箱体内部的均匀性则直接影响靶材在溅射过程中不同位置的溅射速率。当靶材局部表面区域工作气体浓度在一定数值范围内较大时，则此区域内溅射速率相应偏高，溅射速率与成膜厚度成正比，而方阻与膜层厚度成反比，因此该区域内的膜层方阻值就会相应较小。目前常用的布气管道为单筒结构，上端为进气，另外一端无开口，首尾直径相同，上表面等距分布直径相同的圆孔。位置多固定在靶材一侧或孪生靶材中间位置。就上述工艺，在生产中成品容易出现纵向方阻呈渐变状态，从上至下横向方阻均值呈现上升或下降。分析原因主要为溅射期间溅射区域，工作气体分布不均匀，从上至下浓度呈一定梯度分布。导致靶材溅射速率纵向不均匀，相应膜层厚度纵向上呈现递增或递减，方阻纵向上呈现下降或上升。
技术实现思路
本技术针...
【技术保护点】
一种磁控溅射箱体布气结构，其特征是：包括内、外两层相互套装的布气管道，外层布气管道固定在靶背面，内层布气管道安装在外侧布气管道内侧；两者间隔配合；所述外层布气管道两端封闭，内层布气管道位于外层布气管道内的一端封闭，内层布气管道的另一端伸出外层布气管道之外作为进气口；分别在内、外两层布气管道上设置充气孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵跃林，彭春超，林果，
申请(专利权)人：许昌天地和光能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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