具有梯度带隙分布的吸收层制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有梯度带隙分布的吸收层制备方法，它利用真空方法制备一层吸收层薄膜，然后在上面使用涂布法再制备一层或多层不同带隙的吸收层薄膜，经过热处理后，形成具有梯度带隙的吸收层结构。本发明专利技术所提供的真空加涂布方法，解决了单独采用真空法或涂布法制备吸收层的很多固有缺点，可以制备具有梯度带隙结构的吸收层，对设备要求不苛刻，可以更好的控制CIGS吸收层的带隙分布，适合连续化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜光伏
，具体涉及一种制备铜铟镓硒太阳能电池吸收层的工艺。
技术介绍
铜铟镓硒(CIGSe)系列太阳能电池被认为是能够取代晶硅电池的第二代太阳能电池， 是光电转换效率最高的薄膜太阳能电池之一，具有弱光效应好、成本低、寿命长、稳定性好、 抗辐射能力强、可制成柔性光伏建材、抗热斑效应好等优点。铜铟镓硒(CIGSe)系列吸收层包括铜铟硒(CISe)、铜铟镓(CIG)、铜铟镓硒(CIGSe)、铜铟铝硒(CIASe)、铜铟硫(CIS)等化合物半导体薄膜。目前，吸收层材料的制备主要有共蒸发法和预制层硒化法。共蒸发法制备的CIGSe系太阳能电池效率高，三步蒸发法可以制备梯度带隙的吸收层结构，实验室小面积光电转换效率可以超过20%，是薄膜太阳能电池中效率最高的。但是单独使用蒸发法制备吸收层对生产设备要求高，工艺难度大，不宜制备大面积均匀的吸收层，而且很难在高温蒸发下对铜、铟、镓、硒四个蒸汽压相差非常大的单质源进行独立精确控制。先采用磁控溅射制备前驱合金膜，然后硒化处理是目前很多企业采用的工艺，但是后硒化无法获得合理的带隙结构。磁控溅射法在高功率溅射铟的过程中容易产生铟团， 影本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有梯度带隙分布的吸收层制备方法，其特征在于包含如下步骤：（1）在包含衬底的基板上采用真空方法制备一层铜铟镓硒、铜铟铝硒、铜铟硒或铜铟镓硒硫吸收层薄膜；????（2）在步骤（1）生成的薄膜上面采用涂布法制备至少一层铜铟镓硒、铜铟铝硒、铜铟镓、铜铟硫或铜铟镓硒硫薄膜层；????（3）在450OC～850OC的温度下，通过硒化热处理形成具有梯度带隙结构的吸收层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭春超，何保军，高文波，范垂祯，
申请(专利权)人：许昌天地和光能源有限公司，
类型：发明
国别省市：