【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池
，特别是涉及一种。
技术介绍
随着传统能源的日渐枯竭以及生态环境的逐渐恶化，绿色可再生能源将是解决能源与环境危机的关键。太阳能作为地球上储备最丰富的清洁能源之一，成为人类利用的首选，因此如何获得低成本、高效率的太阳能电池得到世界研发人员的关注。太阳能电池是通过半导体p_n结的光生伏特效应直接把光能转化成电能的装置。目前产业化的太阳能电池晶体硅和各种薄膜电池为主。晶体硅太阳能电池主要有单晶硅太 阳电池、多晶硅太阳电池以及晶体硅/非晶硅薄膜异质结太阳电池；薄膜电池主要包括硅薄膜太阳电池、碲化铬薄膜(CdTe)太阳电池和铜铟镓锡(CIGS)薄膜太阳电池。在上述各类太阳能电池中，作为第一类型太阳能电池的晶体硅太阳电池，具有效率高、使用寿命长等优点，但由于提炼原材料晶体硅属于高耗能，且成本较高，所以晶体硅太阳电池难以满足低成本、低耗能的要求。于是，作为第二类太阳能电池的薄膜太阳电池得到了快速的发展，其中非晶硅薄膜太阳电池具有生产效率高、成本低等优点，但是非晶硅由于其内部结构不稳定，在光照的条件下会出现光致衰退效应(Staebler-Wron...
【技术保护点】
一种具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在不锈钢衬底上，溅射掺锡氧化铟薄膜；步骤2：采用等离子体辅助化学气相沉积方法，在腔室中通入氢气，对掺锡氧化铟薄膜进行H等离子体处理，得到铟金属纳米颗粒；步骤3：再向腔室中通入第一反应气体或第二反应气体，使不锈钢衬底与铟金属纳米颗粒之间形成硅纳米线，该硅纳米线为n型或者p型；步骤4：降低腔室中温度，向腔室中通入氢气和硅烷气体，在硅纳米线上沉积本征层；步骤5：向腔室中通入第二反应气体或第一反应气体，在本征层上沉积掺杂层，该掺杂层为p型掺杂或n型掺杂，形成样品；步骤6：将沉积掺杂层后的样品从腔室中取出，采用磁...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢小兵，曾湘波，杨萍，李洁，李敬彦，张晓东，王启明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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