晶体硅太阳能电池纳米透明埋栅电极的制备方法技术

本发明专利技术涉及晶体硅太阳能电池纳米透明埋栅电极的制备方法。制作电极样品：用银墨溶液滴加到具有金字塔绒面结构的硅片表面，并对硅片施加水平方向的振动，使整个硅片的表面形成均匀分布纳米银颗粒团聚体结构；烧结电极样品：用微波辐射加热电极样品使纳米银颗粒相互熔合形成相互连接的金属纳米线/棒网络结构；金属辅助化学刻蚀电极样品：在氢氟酸，双氧水和乙醇的混合溶液中对烧结后的样品做金属辅助刻蚀处理，使金属纳米线/棒网络电极嵌入硅片形成纳米透明埋栅电极。经过金属辅助化学刻蚀后，金属纳米线/棒网络嵌入硅片减反效果明显优化，金属纳米线/棒网络电极与硅片接触电阻明显变小，该电极具有减反层的作用和潜在的优异的载流子收集效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏应用以及光电应用
，特别涉及一种。
技术介绍
随着石油、煤炭等传统能源在地球上的储存量逐步减少，绿色能源太阳能作为传统能源的替换品，越来越受到世界的关注。在太阳能应用中，太阳能电池是太阳光直接转化为电能的光电技术中的关键元件，并且广泛地应用于各种领域之中。太阳能电池的核心结构是p_n结。当能量高于半导体带隙能量的太阳光入射到太阳能电池的P_n结上时，产生电子空穴对。在p-n结上自建电场的作用下，电子转移到n层，同时空穴转移到P层，由此在P层和n层之间产生光电效应。当太阳能电池的两端被连接到负载或系统上时，会产生电流形式的电能。根据用于形成本征层(即光吸收层)的材料将太阳能电池分为多种类型。一般而言，具有由硅制成的本征层的硅太阳能电池是最普遍的一种。现有两种类型的硅太阳能电池晶体型(单晶的或多晶的)太阳能电池和薄膜型(非晶的或微晶的)太阳能电池。除了这两种类型的太阳能薄膜电池，还有碲化镉或铜铟硒化合物薄膜太阳能电池、基于III-V族材料的太阳能电池、染料敏化太阳能电池、有机太阳能电池等等。薄膜型太阳能电池能节约成本，但其致命的缺点是效率很低，稳定性差；同时非晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池纳米透明埋栅电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤A，制作电极样品：即用银墨溶液滴加到具有金字塔绒面结构的硅片表面，通过滴涂和振动方法使整个硅片的表面形成均匀分布的纳米银颗粒团聚体结构；步骤B，烧结电极样品：即用微波辐射加热电极样品使纳米银颗粒熔合而形成相互连接的金属纳米线/棒网络结构；步骤C，金属辅助化学刻蚀电极样品：即在40?wt%氢氟酸，35?wt%双氧水和乙醇的混合溶液中对烧结后的样品做金属辅助刻蚀处理，使金属纳米线/棒网络嵌入硅片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高进伟，裴颗，韩兵，王洋，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：