【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高CuInS2薄膜光电转换性能的方法，其特征在于：在CuInS2薄膜表面恒电位沉积微量金属铅颗粒，或者采用连续离子层吸附反应法沉积硫化铅颗粒，或者先恒电位沉积微量金属铅颗粒、然后沉积硫化铅颗粒；与未经表面修饰的CuInS2薄膜相比，表面修饰后的CuInS2薄膜的光电转换效率显著提高。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。