一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗去磷硅玻璃；(2)在硅片的扩散面上热氧化一层氧化硅膜；(3)在上述氧化硅膜上沉积一层高折射率氮化硅膜；(4)在上述高折射率氮化硅膜上沉积一层低折射率氮化硅膜；(5)丝网印刷、烧结。本发明专利技术开发了采用由氧化硅膜/高折射率氮化硅膜/低折射率氮化硅膜组成新的减反射膜，使普通的丝网印刷设备的摄像头能识别对位点，解决了现有技术中丝网印刷与腐蚀开口形成电极栅线的对位问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于太阳能

技术介绍
自进入本世纪以来光伏产业成为了世界上增长最快的高新技术产业。在各类太阳能电池中，晶体硅(单晶、多晶)太阳能电池占有极其重要的地位，目前占据了光伏市场75% 以上的份额。晶体硅太阳能电池利用P-η结的光生伏特效应实现光电转换，从发展的观点来看，晶体硅太阳能电池在未来很长的一段时间仍将占据主导地位。现有的晶体硅太阳能电池的制造流程为表面清洗及织构化、扩散、清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触、测试。这种商业化晶体硅电池制造技术相对简单、成本较低，适合工业化、自动化生产，因而得到了广泛应用。其中，扩散是核心工艺 ’传统的扩散工艺在发射极区域要么出现较高的接触电阻，要么会出现比较严重的死层问题， 而仅仅通过调整一步扩散工艺的制程是无法同时解决接触电阻和死层的问题，所以传统的扩散工艺限制了短路电流、开路电压、填充因子和效率的提高。为了同时兼顾开路电压、短路电流和填充因子的需要，选择性发射极太阳电池是非常理想的选择，即在电极接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构会增加短波响应和降低表面复合，同时减少前电极与发射区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗去磷硅玻璃；(2)?在硅片的扩散面上热氧化一层氧化硅膜，其厚度为1.0~4.9?nm；(3)?在上述氧化硅膜上沉积一层高折射率氮化硅膜，所述高折射率氮化硅膜的膜厚为5.0~9.9?nm，折射率为2.41~2.49；(4)?在上述高折射率氮化硅膜上沉积一层低折射率氮化硅膜，所述低折射率氮化硅膜的膜厚为55~70?nm，折射率为2.0~2.2；(5)?丝网印刷、烧结，即可得到选择...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张春华，周剑，李栋，向宏伟，高文丽，孟祥熙，辛国军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：