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本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)表面清洗及织构化、热氧化成氧化硅膜形成掩膜、腐蚀开口形成电极栅线窗口、一次扩散形成栅线下重扩散、去氧化硅膜、二次扩散形成非栅线窗口区域浅扩散、清洗去磷硅玻璃；(2)在...
该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司授权不得商用。

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