一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置，包括光衰箱体、光源、风扇和控制光源光照时间的控制装置，所述光衰箱体由上至下分为上层、中层以及下层，所述光源和所述风扇分别设置在所述上层的顶面和侧壁，上层与中层由耐高温陶瓷板隔开，中层与下层之间的基板为电池片放置板，光衰箱体的尺寸为：长为0.8米，宽为0.6米，高为1米；本发明专利技术通过对光照时间和温度的控制，保证光致衰减温度及光强稳定性，使得光致衰减强度及温度符合衰减要求，通过氮气填充及散热装置，以减少晶体硅太阳电池光致衰减过程中电池不被氧化，提高了晶体硅太阳电池产品品质，可应用于晶体硅太阳电池制造中检验测试工序，以验证晶体硅太阳电池衰减程度。

Optical attenuation device for crystalline silicon solar cell

The invention relates to a crystalline silicon solar cell optical attenuation device, including light box, light source, a fan and a control light control device of the time, the light box is divided into upper, middle and lower layer, wherein the light source and the fan are respectively arranged on the top surface and the side of the upper wall the upper and middle, separated by high temperature ceramic plate, the substrate between the middle and lower panels for placing plate, light box size: 0.8 meters long, 0.6 meters wide, 1 meters high; the invention by controlling the illumination time and temperature, to ensure the light attenuation temperature and light stability the light attenuation, intensity and temperature with attenuation requirements, through nitrogen filling and cooling device, so as to reduce the light attenuation in the process of the battery can not be oxidized crystal silicon solar battery, improve the production of crystalline silicon solar cells It can be used in the inspection and test process of crystalline silicon solar cells to verify the attenuation degree of crystalline silicon solar cells.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池片制造领域，具体涉及一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置。
技术介绍
太阳能作为一种清洁、可再生的能源，对它的利用一直被人们所关注。由于光伏组件的初始光致衰减是由电池的初始光致衰减导致的，因此需对电池片进行先前的光照，使电池的初始光致衰减发生在组件制造之前，光伏组件的初始光致衰减就非常小了，可以完全控制在测量误差之内；同时也大幅度地减少了光伏组件出现热斑的几率，提高了光伏组件的输出稳定性。如何保证在太阳能衰减过程中的稳定性及电池片不被氧化成为急需解决的问题。电池片衰减作为太阳能电池生产过程中的重要环节，直接影响了太阳能组件的发电效果，为了保证太阳能电池在衰减过程中的温度及可靠性，需要一个比较方便、操作性强的衰减装置，以保证电池片衰减稳定及电池片不被氧化。传统的电池片衰减是放置在阳光下进行光照，受制于天气、温度等原因导致电池片衰减不稳定，容易氧化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种保证晶体硅太阳电池衰减稳定以及有效防止晶体硅太阳电池被氧化的晶体硅太阳电池光致衰减的装置。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案为：一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置，包括光衰箱体、光源、风扇和控制光源光照时间的控制装置，所述光衰箱体由上至下分为上层、中层以及下层，所述光源和所述风扇分别设置在所述上层的顶面和侧壁，上层与中层由耐高温陶瓷板隔开，中层与下层之间的基板为电池片放置板，光衰箱体的尺寸为：长为0.8米，宽为0.6米，高为1米。将晶体硅太阳电池置于电池片放置板上，使晶体硅太阳电池在光衰箱体中层空间内进行光致衰减与外界隔离，防止在光致衰减过程中被空气中的水分氧化，光源用于提供光照的强度，控制装置根据光致衰减的时间要求，控制光源光照时间，风扇用于将光照过程中的热量排出。本专利技术一个较佳实施例中：所述光源包括四个水冷却红外灯管，一般光致衰减装置工作周期在七天左右，在这段持续的工作时间内，红外灯管发出的热量是巨大的，如果发出的热量不及时处理，会导致红外灯管过热受损以及光衰箱体内的温度大幅度提高，为有效的提高灯管寿命，水冷光衰箱体利用水良好的热传导性，采取水循环冷却方式对灯管进行降温，避免了灯管产生的热量过大。本专利技术一个较佳实施例中，所述中层还设置有氩气填充装置、散热装置和温度控制装置。氩气填充装置在光衰箱体中层区域充满氩气彻底排除空气，防止晶体硅太阳电池与空气接触氧化，散热装置在防止氧化的同时使光衰箱体内的温度均匀可控，抵消红外灯管带来的高温，温度控制装置使一般光衰辐照时温度要求在标准范围内。有益效果：本专利技术通过对光照时间和温度的控制，保证衰减温度及光强稳定性，使得光衰强度及温度符合衰减要求，通过氩气填充及散热装置，以减少晶体硅太阳电池衰减过程中晶体硅太阳电池不被氧化，提高了晶体硅太阳电池产品品质，可应用于晶体硅太阳电池制造中检验测试工序，以验证晶体硅太阳电池衰减程度。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1为本专利技术的结构示意图。具体实施方式现在结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。如图1所示，一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置，包括光衰箱体、光源1、风扇2、控制光源光照时间的控制装置3、氩气填充装置、温度控制装置5和散热装置6，所述光衰箱体由上至下分为上层、中层以及下层，所述光源1包括四个水冷却红外灯管并与控制光源光照时间的控制装置3连接，四个水冷却红外灯管分布在上层的顶面向下照射，风扇2安装在上层的侧壁，氩气填充装置、温度控制装置5和散热装置6设置在中层，上层与中层由耐高温陶瓷板4隔开，中层与下层之间的基板为电池片放置板7，光衰箱体的尺寸为：长为0.8米，宽为0.6米，高为1米。打开光衰箱体中层的箱门，将晶体硅太阳电池放在电池片放置板7上，将光致衰减装置开启后，水冷却红外灯管开始运行向晶体硅太阳电池照射，晶体硅太阳电池进行光致衰减，风扇2将光照热量排出的同时向中层区域通入氩气，由耐高温陶瓷板4将中层的充氩空间与上层的光照高温层隔开并由散热装置进行散热，防止晶体硅太阳电池高温氧化，温度控制装置5控制中层中的温度，控制光源光照时间的控制装置3控制晶体硅太阳电池光致衰减11小时，辐照量一般为22KW每小时每平方米。以上依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项专利技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置，其特征在于：包括光衰箱体、光源、风扇和控制光源光照时间的控制装置，所述光衰箱体由上至下分为上层、中层以及下层，所述光源和所述风扇分别设置在所述上层的顶面和侧壁，上层与中层由耐高温陶瓷板隔开，中层与下层之间的基板为电池片放置板，光衰箱体的尺寸为：长为0.8米，宽为0.6米，高为1米。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳电池光致衰减的装置，其特征在于：包括光衰箱体、光源、风扇和控制光源光照时间的控制装置，所述光衰箱体由上至下分为上层、中层以及下层，所述光源和所述风扇分别设置在所述上层的顶面和侧壁，上层与中层由耐高温陶瓷板隔开，中层与下层之间的基板为电池片放置板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾玥，
申请(专利权)人：成都格瑞思文化传播有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51