预清洗工艺腔室制造技术

本实用新型专利技术公开了一种预清洗工艺腔室。该预清洗工艺腔室包括：腔体、第一射频装置和承载装置，承载装置位于腔体的内部，腔室的顶盖向腔体外部凸起，且顶盖中心位置的凸起程度大于顶盖边缘位置的凸起程度；第一射频装置，用于向腔体提供第一射频功率，以将腔体内的工艺气体激发为等离子体；承载装置，用于承载待清洗件。本实用新型专利技术中，腔体的顶盖向腔体外部凸起，顶盖中心位置的凸起程度大于顶盖边缘位置的凸起程度，使密度较高的中心区域的等离子体可通过向上扩散而较大程度的降低密度，有效减小了中心区域等离子体密度和边缘区域等离子体密度的差异，从而提高了预清洗工艺的工艺均匀性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微电子
，特别涉及一种预清洗工艺腔室。
技术介绍
等离子体设备广泛用于目前的半导体、太阳能电池、平板显示等制造工艺中。在目前的制造工艺中，等离子体设备的类型包括直流放电类型、电容耦合等离子体(CCP)类型、电感耦合等离子体(ICP)类型以及电子回旋共振等离子体(ECR)类型。目前上述类型的等离子体设备被广泛应用于物理气相沉积(PVD)、等离子体刻蚀以及等离子体化学气相沉积(CVD)等工艺。在PVD工艺中，特别是对于集成电路(IC)、硅穿孔(TSV)、封装(Packaging)制造工艺，需要通过预清洗(Preclean)工艺腔室对待清洗件进行预清洗工艺。预清洗工艺作为 PVD工艺的一部分，其目的是为了在待清洗件上沉积金属膜之前，清除待清洗件表面的污染物或待清洗件上沟槽和穿孔底部的残余物。预清洗工艺完成后的下一个步骤就是通过溅射工艺在待清洗件上沉积金属膜。预清洗工艺会明显提升沉积金属膜工艺中所沉积的金属膜的附着力以及改善芯片的电气性能和可靠性。预清洗工艺是将工艺气体激发为等离子体，并利用等离子体的化学反应和物理轰击作用，对待清洗件进行去杂质的处理，例如工艺气体可以为氩气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种预清洗工艺腔室，其特征在于，包括：腔体、第一射频装置和承载装置，所述承载装置位于所述腔体的内部，所述腔室的顶盖向所述腔体外部凸起，且所述顶盖中心位置的凸起程度大于所述顶盖边缘位置的凸起程度；所述第一射频装置，用于向所述腔体提供第一射频功率，以将所述腔体内的工艺气体激发为等离子体；所述承载装置，用于承载待清洗件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，吕铀，王东，郭浩，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：