物理气相沉积设备制造技术

本实用新型专利技术提出物理气相沉积设备包括：添加一种前端固定带小孔圆形净化盘的快闪手臂，并通过从物理气相沉积工艺腔外接入的一净化气体管路向圆形净化盘的小孔通气，对电子卡盘表面进行气体吹拂，从而达到去除颗粒的效果，进而增加电子卡盘对半导体晶片吸力的稳定性，避免了破片的情况发生。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术一般涉及半导体生产领域，特别涉及应用在物理气相沉积设备方面。
技术介绍
半导体组件的形成一般是在一或多个处理腔室中执行，且该些处理腔室一般是结合以形成一在可控制的处理环境中处理多个半导体晶片的多腔室处理系统。为了维持工艺的一致以及确保处理腔室的最佳效能，会周期性地进行多种的调节(Condition)操作。举例来说，一通常实施于物理气相沉积处理腔室的调节操作为预烧(Burn-in)工艺，其中一靶材设置于该物理气相沉积处理腔室中，并透过等离子体的轰击(Bombard)而在执行半导 体晶片工艺之前移除该靶材上的氧化物或其他污染物。另一种常实施的调节操作为贴合(Pasting)工艺，其中一覆盖层是涂布于处理腔室表面的沉积材料上，以预防该材料自该处理腔室表面剥落，并在接续工艺中污染半导体晶片。请参考图I和图2，现有技术中物理气相沉积设备结构，一般包括以下部件提供有一内部容积的物理气相沉积腔室主体I ;在腔室主体内部侧壁提供一个自由旋转伸缩回腔室侧壁的快门手臂2 ；在所述快门手臂2前端上放置一圆形遮盘3 ；在腔室内部下端提供一个固定于基底撑5上的电子卡盘(electrical chuck本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种物理气相沉积设备，其特征在于，其主要部件包含：一物理气相沉积腔室，一侧设有开口；一基底撑，固定在所述物理气相沉积腔室内底部；一电子卡盘，位于所述物理气相沉积腔室内并固定在所述基底撑顶部；一快闪手臂，位于在所述物理气相沉积腔室设有开口的一侧，通过所述开口进出所述物理气相沉积腔室；一遮盘，位于所述物理气相沉积腔室内并平放在所述快闪手臂前端的上表面；一带小孔的圆形净化盘，位于所述物理气相沉积腔室内并固定在所述快闪手臂前端下表面，所述小孔朝向所述电子卡盘的上表面；一净化气体管路，从所述开口伸入到所述物理气相沉积腔室中并与所述带小孔的圆形净化盘相接，连通所述小孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何龑，杨小军，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：