一种用于真空镀膜的工艺气体二元布气装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于真空镀膜的工艺气体二元布气装置，包括阴极盖板，其特征在于：它由盖板1、主气板2、底板3和挡板4组成，盖板1、主气板2和底板3依次组合安装在阴极盖板下表面，挡板4布置在其两边。主气板2下表面交替开有主气体出气沟槽和辅助气体出气沟槽；主气板2上表面开有主气体二元结构布气沟槽5，辅助气体二元结构布气沟槽6、7、8布置在底板3上表面，沿阴极靶长度方向可分为独立的三至七段，分别独立的控制沿阴极靶长度方向不同位置的辅助工艺气体供气量。本实用新型专利技术的有益效果是能够实现工艺气体沿阴极靶长度方向的均匀分布，提高靶材利用率和镀膜质量；同时，具有精简结构、易安装维护的优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

—种用于真空镀膜的工艺气体二元布气装置 本技术涉及真空镀膜的布气装置
，具体是一种用于真空镀膜的工艺气体二元布气装置。真空镀膜一般有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。其中，磁控溅射原理为电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。真空磁控溅射镀膜中，工艺气体如Ar、02、N2等，在阴极靶长度方向的均匀分布，对靶材利用率和镀膜质量有着至关重要的影响。传统的磁控溅射镀膜线将工艺气体管路布置在阴极靶的两边，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于真空镀膜的工艺气体二元布气装置，包括盖板(1)、主气板(2)、底板(3)和挡板(4)，其特征在于盖板(1)、主气板(2)和底板(3)依次组合连接设置于阴极盖板下表面，盖板(1)、主气板(2)和底板(3)左右两侧各设有一挡板(4)，主气板(2)下表面交替开设有若干主气体出气沟槽和辅助气体出气沟槽，所述的主气体出气沟槽和辅助气体出气沟槽对应位置分别设有主气体出气口和辅助气体出气口，主气板(2)上表面开设有主气体二元结构布气沟槽(5)和若干通孔（10），二元结构布气沟槽(5)终端设有若干通孔(11)，通孔(11)？与主气板(2)下表面的主气体二元结构出气沟槽联通，底板(3)上表面设有辅助气体...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，葛承全，罗松松，张仰平，李险峰，张超群，殷新建，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，
类型：实用新型
国别省市：