【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种,尤其是利用镀镍制程来改善填孔镀铜能力以及多次镀铜所产生的不均匀性。
技术介绍
参考图A至图F,分别为现有技术的流程图,如图A所不,首先准备一电路基板1,该电路基板I包含一第一基板10 ;二第二基板15分别位于该第一基板10的上下两侧;二内部铜层21位于该第一基板10与该第二基板15之间;以及二外部铜层23位于该第二基板15的外表面;接着,如图B所示,同在电路基板I的表层形成多个开口,而暴露出内部铜层21,所述开口包含至少一第一开口 31以及至少一第二开口 33,第一开口 31小于第二开口 33,而该第二开口大于或等于150x lOOum2。如图C所示形成至少一第一镀铜层25在电路基板I的表面,而该第一镀铜层25填满第一开口 31,但未填满第二开口 33而使填入各该第二开口 33的第一镀铜层25具有一凹陷(Dimple)处40。接着,如图D所示,现有技术是透过至少一次镀铜,而形成一镀铜层60,该镀铜层60较厚,以填满整个凹陷处40,进一步用机械研磨方式,使表面平整。再来如图E及图F所示,是在镀铜层60的表面形成图案化的干膜。再经过蚀刻并移除干 ...
【技术保护点】
一种电路载板的散热结构的成型方法,其特征在于,该成型方法包含:一基板准备步骤,准备一电路基板;一钻孔步骤,在该电路基板的表层形成多个开口,而在所述开口中暴露出该电路基板中的至少一内部铜层,所述开口包含至少一第一开口以及至少一第二开口,该至少一第一开口小于该至少一第二开口,而该至少一第二开口大于或等于150x?100um2;一第一镀铜步骤,形成至少一第一镀铜层在该电路基板的表面,该第一镀铜层填满该至少一第一开口,但未填满该至少一第二开口,而使填入各该第二开口的该第一镀铜层具有一凹陷处;一阻隔层形成步骤,是该第一镀铜层上形成一阻隔层,一阻隔层去除步骤,移除除了在该凹陷处上的该阻 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张谦为,林定皓,陈亚详,卢德豪,
申请(专利权)人:景硕科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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