通过Ar溅射进行硬质掩膜CD控制的方法技术

本发明专利技术提供了一种在等离子体处理腔室中通过带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法。提供硅溅射以使硅从硅基蚀刻层溅射到带图案硬质掩膜的侧壁上以在带图案硬质掩膜上形成侧壁。通过带图案硬质掩膜来蚀刻所述蚀刻层。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种通过蚀刻蚀刻层而在半导体晶片上形成半导体器件的方法。更具体地，本专利技术涉及将特征蚀刻到硅基蚀刻层中。
技术介绍
在通过硬质掩膜来蚀刻硅基层时，硬质掩膜的侧壁可能腐蚀，这增加了被蚀刻特征的空间⑶，其中条(bar)⑶变小。
技术实现思路
为了实现上述并且依照本专利技术的目的，提供一种用于在等离子体处理腔室中通过 带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法。提供硅溅射以将硅从硅基蚀刻层溅射到带图案硬质掩膜的侧壁上以在所述带图案硬质掩膜上形成额外侧壁。通过带图案硬质掩膜来蚀刻所述蚀刻层。在本专利技术的另一呈现形式中，提供一种用于在等离子体处理腔室中通过带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法。提供硅溅射，以将硅从硅基蚀刻层溅射到该带图案硬质掩膜的侧壁上以在该带图案硬质掩膜上形成额外侧壁，所述提供硅溅射包括使溅射气体流入所述等离子体处理腔室中，其中所述溅射气体包括氩气并且无蚀刻剂；将溅射气体形成等离子体以产生氩离子；提供大于200伏的偏压，所述偏压用足够的能量将所述等离子体中的氩离子加速至所述硅基蚀刻层以使硅从所述硅基蚀刻层溅射；以及停止所述溅射气体的流动。通过该带图案硬质掩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在等离子体处理腔室通过带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法，所述方法包括：提供硅溅射以将硅从所述硅基蚀刻层溅射到所述带图案硬质掩膜的侧壁上以在所述带图案硬质掩膜上形成侧壁；以及通过所述带图案硬质掩膜来蚀刻所述蚀刻层。

【技术特征摘要】
2011.07.28 US 13/193,1951.一种在等离子体处理腔室通过带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法，所述方法包括 提供硅溅射以将硅从所述硅基蚀刻层溅射到所述带图案硬质掩膜的侧壁上以在所述带图案硬质掩膜上形成侧壁；以及 通过所述带图案硬质掩膜来蚀刻所述蚀刻层。2.如权利要求I所述的方法，其中，所述提供所述硅溅射包括 使溅射气体流入所述等离子体处理腔室中，其中所述溅射气体包括惰性气体并且无蚀刻剂； 使所述溅射气体形成等离子体以生成惰性气体离子；以及 提供偏压，所述偏压用足够的能量将所述等离子体中的所述惰性气体离子加速至所述硅基蚀刻层以使硅从所述硅基蚀刻层溅射。3.如权利要求2所述的方法，其中，所述提供偏压提供大于200伏的偏压。4.如权利要求2所述的方法，其中，所述溅射气体主要包含至少一种惰性气体。5.如权利要求4所述的方法，其中，所述至少一种惰性气体包括氩气。6.如权利要求2所述的方法，其中，所述溅射气体含有至少95%的氩气。7.如权利要求2所述的方法，进一步包括使所溅射的硅形成氧化硅。8.如权利要求7所述的方法，其中，所述使所溅射的硅形成氧化硅包括 在提供所述硅溅射之后以及在蚀刻所述蚀刻层之前，使氧气流入所述等离子体处理腔室中；以及 使所述氧气形成等离子体。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述使所溅射的硅形成氧化硅进一步包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元哲，傅乾，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：