【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储器设备，且尤其涉及三端子存储器设备的自对准竖直集成。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、电子设备包含了用来储存数据的例如闪存之类的非挥发性存储器。所述闪存通常是以一或更多包含存储器单元的集成电路(ic)来实现的。随着电子设备的尺寸缩小以及使用更多的数据，这些存储器单元的成本、密度和存取速度变得越来越重要。
3、早期，这些存储器单元是排列成二维(2-d)的存储器阵列。近来，这些存储器单元排列成三维(3d)阵列来增加密度和降低成本。在三维的存储器阵列中的存储器单元通常是两端子设备。或者需要选择器元件，或者存储器不能按位寻址。如果存储器不能按位寻址，则其适合用于储存应用，但通常不适合用于工作存储器应用。
技术实现思路
1、一种用于存储器单元的三维(3d)存储器结构...
【技术保护点】
1.一种用于三端子的NOR存储器单元的三维(3D)存储器结构，其包含：
2.根据权利要求1所述的3D存储器结构，其中所述椭圆形的截面类似于数字8的形状。
3.根据权利要求1所述的3D存储器结构，其中所述椭圆形的截面包括两个部分相交的椭圆形。
4.根据权利要求1所述的3D存储器结构，其中在所述多个双沟道孔内，所述多个字线层相对于所述多个氧化物层内凹。
5.根据权利要求1所述的3D存储器结构，其还包含多层堆叠件，所述多层堆叠件被沉积在所述多个双沟道孔的内表面上，且限定在所述第一方向上延伸的第一孔穴。
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种用于三端子的nor存储器单元的三维(3d)存储器结构，其包含：
2.根据权利要求1所述的3d存储器结构，其中所述椭圆形的截面类似于数字8的形状。
3.根据权利要求1所述的3d存储器结构，其中所述椭圆形的截面包括两个部分相交的椭圆形。
4.根据权利要求1所述的3d存储器结构，其中在所述多个双沟道孔内，所述多个字线层相对于所述多个氧化物层内凹。
5.根据权利要求1所述的3d存储器结构，其还包含多层堆叠件，所述多层堆叠件被沉积在所述多个双沟道孔的内表面上，且限定在所述第一方向上延伸的第一孔穴。
6.根据权利要求5所述的3d存储器结构，其中所述第一孔穴在所述第二方向上具有所述椭圆形的截面。
7.根据权利要求5所述的3d存储器结构，其中所述多层堆叠件包含阻挡氧化物层、电荷捕捉层和栅极氧化物层。
8.根据权利要求5所述的3d存储器结构，其中所述多层堆叠件包含阻挡氧化物层、铁电层和栅极氧化物层。
9.根据权利要求5所述的3d存储器结构，其中所述多层堆叠件包含阻挡氧化物层、自旋轨道转矩(sot)层和栅极氧化物层。
10.根据权利要求5所述的3d存储器结构，其还包含被配置在所述第一孔穴的内表面上的多晶硅层。
11.根据权利要求10所述的3d存储器结构，其中所述多晶硅层限定在所述第一方向上延伸的第二孔穴和第三孔穴。
12.根据权利要求11所述的3d存储器结构，其中所述第二孔穴和所述第三孔穴在所述第二方向上具有椭圆形的截面。
13.根据权利要求10所述的3d存储器结构，其中所述多晶硅层包含p-层。
14.根据权利要求10所述的3d存储器结构，其中所述多晶硅层在所述第二方向上具有8字形的截面。
15.根据权利要求10所述的3d存储器结构，其还包含n+层，所述n+层被配置在所述第二孔穴内和所述第三孔穴内。
16.根据权利要求1所述的3d存储器结构，还包括用于所述三端子的nor存储器单元的三个端子中的两个端子的柱电极和布置在所述柱电极之间的晶体管。
17.根据权利要求1所述的3d存储器结构，还包括布置在所述双沟道孔之间的隔离柱...
【专利技术属性】
技术研发人员：索斯藤·利尔，沈美华，约翰·霍昂，吴惠荣，格伦·古纳万，潘阳，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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