温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种在等离子体处理腔室中通过带图案硬质掩膜将特征蚀刻到硅基蚀刻层中的方法。提供硅溅射以使硅从硅基蚀刻层溅射到带图案硬质掩膜的侧壁上以在带图案硬质掩膜上形成侧壁。通过带图案硬质掩膜来蚀刻所述蚀刻层。...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。