整合连接层的光电活性的、基于硫属元素的薄膜结构制造技术

技术编号:8244221 阅读:179 留言:0更新日期:2013-01-25 03:17
本发明专利技术提供了改进的含硫属元素的光伏结构及相关组成、整合了这些结构的光伏器件、制备这些结构和器件的方法以及使用这些结构和器件的方法。根据本发明专利技术的原理,通过使用含硫属元素连接层提高了PACB组合物的粘附性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制备基于硫属化物的光吸收材料以及涉及引入这些材料的光伏器件。更具体地,本专利技术涉及用于制造基于硫属化物的光吸收结构的方法,其中使用具有相对细粒结构的第一含硫属元素薄膜提高整体的电子性能,减少电缺陷,降低整体成本和/或增强第二含硫属元素薄膜对下层衬底的粘附性。
技术介绍
η型硫属化物材料和/或P型硫属化物材料都具有光电功能性(本文中也称为光电活性、光吸收或光敏功能性)。当引入到光伏器件中时,这些材料吸收入射光并产生电输出。因此,这些基于硫属化物的光吸收材料在功能性光伏器件中已被用作光伏吸收区。这些组合物下文统称作光电活性的、基于硫属元素(PACB)组合物。说明性PACB组合物通常包括铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和/或铝(Al)中的至少一种或多种的硫化物、硒化物和/或碲化物。硒化物和硫化物比碲化物更常见。具体的硫属化物组合物在工业上以如CIS、CIGS、CIGSS、CIG、CIGT、CIGAT等首字母缩写词指称以表明组合物成分。根据一种提出用于制造PACB结构的技术,在初始阶段使用沉积方法在一个或多个层中沉积和/或共沉积所需的PACB成分以形成前体薄膜。在该阶段本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·E·格比
申请(专利权)人:陶氏环球技术有限责任公司
类型:
国别省市:

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