用于生产保形元件的方法、保形元件及其用途技术

本发明专利技术涉及用于在结构上生产至少部分导电的或半导电的元件的方法，其中元件包括一个或多个层，方法包括以下步骤：a)形成包括一个或多个层的可成形元件，其中至少一个层包含高纵横比分子结构(HARM结构)的网络，其中HARM结构是导电的或半导电的，以及b)通过将可成形元件压制和/或真空密封在结构的三维表面上将可成形元件以保形的方式布置到结构上，以生产包括一个或多个层的保形的并且至少部分导电的或半导电的元件，其中至少一个层包含在结构的三维表面上的HARM结构的网络。此外，本发明专利技术涉及保形元件及其用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫·P·布朗，
申请(专利权)人：卡纳图有限公司，
类型：
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