用于制造金属氧化物半导体的方法技术

本发明专利技术的一个方面涉及一种用于制造非晶金属氧化物半导体的方法。在实施例中，通过作为开始要素的混合溶液在基板上沉积膜。例如，所述混合溶液在溶剂中至少包括醇铟和醇锌。通过在例如包括其端点值的210至275摄氏度的温度范围下在水蒸气气氛中的热退火来固化由在所述基板上的所述混合溶液制造的膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及金属氧化物半导体，更具地说，本专利技术涉及。
技术介绍
常规薄膜晶体管(TFT)主要在半导体层中使用硅，例如非晶硅薄膜和多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜通过使用准分子激光等的非晶硅薄膜的多晶化而形成。近几年，特别关注作为下一代TFT的半导体层的非晶金属氧化物半导体。就透明度而言，这样的半导体示出了应用于显示器、电子纸等的前景。即使在迁移率方面，这样的半导体也是可以实现高性能液晶和有机电致发光(EL)所需的3至20cm2/Vs的材料。 包括铟(In)和锌(Zn)的非晶氧化铟锌半导体(a_InZnO)、进一步包括作为进一步的金属成分的镓(Ga)的非晶氧化铟镓锌半导体(a-InGaZnO)等被认为是非晶金属氧化物半导体的代表。同时，从蒸气形成膜的溅射方法和从溶液形成膜的溶胶-凝胶方法是制造半导体层的代表方法(例如，请参见PTL1、PTL2和PTL3)。后者的特征是可应用于具有大表面积的基板和具有复杂形状的基板。溶胶-凝胶方法是这样一种方法，其中制备针对金属氧化物中的每种成分金属包括是可水解有机化合物的前体(precursor)，该溶液会经历水解反应和缩聚反应而形成失去流动性的凝胶，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：山下嘉久，K·K·班戈，H·斯林格霍斯，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，剑桥企业有限公司，
类型：
国别省市：