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本发明的一个方面涉及一种用于制造非晶金属氧化物半导体的方法。在实施例中，通过作为开始要素的混合溶液在基板上沉积膜。例如，所述混合溶液在溶剂中至少包括醇铟和醇锌。通过在例如包括其端点值的210至275摄氏度的温度范围下在水蒸气气氛中的热退火来...
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