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本发明涉及用于在结构上生产至少部分导电的或半导电的元件的方法，其中元件包括一个或多个层，方法包括以下步骤：a)形成包括一个或多个层的可成形元件，其中至少一个层包含高纵横比分子结构(HARM结构)的网络，其中HARM结构是导电的或半导电的，以...
该专利属于卡纳图有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过卡纳图有限公司授权不得商用。

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