【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种制备绝缘体上硅材料的方法，特别涉及采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法。
技术介绍
与体硅器件相比，绝缘体上硅(SOI)器件具有高速、低驱动电压、耐高温、低功耗以及抗辐照等优点，备受人们的关注，在材料和器件的制备方面都得到了快速的发展。SOI材料按其顶层硅薄层的厚度，可分为薄膜SOI (顶层硅通常小于I μ m)和厚膜SOI (顶层硅通常大于I μ m)两大类。薄膜SOI市场95%的应用集中在8英寸和12英寸，其中绝大多数用户为尖端微电子技术的引导者，如IBM、AMD、Motorola、Intel、UMC、TSMC, OKI等。目前供应商为日本信越(SEH)、法国Soitec、日本SUMC0，其中前两家供应了约90 %以上的产品。薄膜SOI市场主要的驱动力来自于高速、低功耗产品，特别是微处理器(CPU)应用。这些产 品的技术含量高，附加值大，是整个集成电路的龙头。很多对SOI的报道均集中在以上这些激动人心的尖端应用上，而实际上SOI早期的应用集中在航空航天和军事领域，现在拓展到功率和灵巧器件以及MEMS应用。特别是在汽车电子、显示、无线通讯...
【技术保护点】
一种采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底；采用离子注入在器件衬底中形成腐蚀自停止层，并将器件衬底分离成牺牲层和器件层；在支撑衬底的正面和背面均形成绝缘层；以支撑衬底正面的绝缘层的暴露表面以及器件衬底的器件层的暴露表面为键合面，将器件衬底和支撑衬底键合在一起；采用旋转腐蚀工艺除去牺牲层和腐蚀自停止层，形成由器件层、绝缘层和支撑衬底构成的带有绝缘埋层的衬底。
【技术特征摘要】
1.一种采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 提供器件衬底和支撑衬底； 采用离子注入在器件衬底中形成腐蚀自停止层，并将器件衬底分离成牺牲层和器件层； 在支撑衬底的正面和背面均形成绝缘层； 以支撑衬底正面的绝缘层的暴露表面以及器件衬底的器件层的暴露表面为键合面，将器件衬底和支撑衬底键合在一起； 采用旋转腐蚀工艺除去牺牲层和腐蚀自停止层，形成由器件层、绝缘层和支撑衬底构成的带有绝缘埋层的衬底。2.根据权利要求I所述的采用选择性腐蚀制备带有绝缘埋层的衬底的制备方法，其特征在于，在支撑衬底的正面和背面均形成绝缘层...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏星，曹共柏，张苗，张峰，王曦，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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