多腔室半导体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭露了一种多腔室半导体处理装置，所述多腔室半导体处理装置包括至少两个沿纵向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，每个微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，每个微腔室的上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部可沿纵向贯穿所述柱位孔的立柱的导引在一用于装载或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。与现有技术相比，本发明专利技术中的多腔室半导体处理装置采用立柱导引结构，并在所述立柱上纵向设置多个微腔室。使得所述多腔室半导体处理装置能够同时对多个半导体晶圆进行单晶圆化学处理。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻和其它处理的装置。
技术介绍
在半导体集成电路制造的工艺流程中，有近100个以上的步骤与晶圆表面清洗和化学处理有关，这些步骤占总生产流程步骤的25 %至35 %。而在目前集成电路制造业所使用的晶圆表面化学处理和清洗设备中，有近70%仍为传统的批式处理清洗设备和RCA类清洗方法。随着集成电路生产中晶圆尺寸不断地增大(200mm — 300mm — 450mm),电子元件刻线宽度不断地缩小(65nm — 45nm — 32nm)，传统批式化学处理和清洗技术(即每次处理 多于25片晶圆)所要面对的挑战也不断增加，这些挑战包括有晶圆表面处理均匀性问题和批量处理有可能发生的交叉污染问题、；对于超微小粒子的去除能力不足的问题；兆声(Megasonics)技术对超微结构的损伤问题；具有低介电常数和高介电常数的新材料和金属栅极等表面的化学处理和清洗难题等等。同时还因为存在晶圆单面化学处理和清洗的实际需求、晶圆的去薄以及在线设备的联机等众多因素，促使了半导体晶圆的清洗技术逐渐地由传统批量处理技术转向单晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多腔室半导体处理装置，其特征在于，其包括：包括至少两个沿纵向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，每个微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，所述上腔室部和所述下腔室部可沿纵向贯穿其边缘的立柱的导引在一用于装载或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间相对移动，在关闭位置时，半导体晶圆安置于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口。

【技术特征摘要】
1.一种多腔室半导体处理装置，其特征在于，其包括 包括至少两个沿纵向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，每个微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，所述上腔室部和所述下腔室部可沿纵向贯穿其边缘的立柱的导引在一用于装载或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间相对移动， 在关闭位置时，半导体晶圆安置于所述上工作表面和下工作表面之间，且与所述微腔室的内壁形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口。2.根据权利要求I所述的多腔室半导体处理装置，其特征在于，所述多腔室半导体处理装置还包括驱动装置，至少一个微腔室的上腔室部或下腔室部被所述驱动装置驱动而沿所述立柱的导引下移动，所述上腔室部和下腔室部中的另外一个被固定于所述立柱的预定位置。3.根据权利要求I所述的多腔室半导体处理装置，其特征在于，所述多腔室半导体处理装置还包括位于最下侧的微腔室的下腔室部下方的驱动装置或/和位于最上侧的微腔室的上腔室部上方的驱动装置，所述驱动装置沿纵向驱动对应的腔室部，每个微腔室的上腔室部和所述下腔室部之间还包括可伸缩的微驱动部件，每个微腔室的上腔室部和所述下腔室部在所述微驱动部件和所述驱动装置提供的驱动力驱使下沿所述立柱的导引向上移动或者向下移动。4.根据权利要求3所述的多腔室半导体处理装置，其特征在于，所述微驱动部件为套接在所述立柱上的螺旋拉伸弹簧，且位于下方微腔室的上腔室部和下腔室部之间的螺旋拉伸弹簧的弹簧系数小于位于上方微腔室的上腔室部和下腔室部之间的螺旋拉伸弹簧的弹黃系数。5.根据权利要求2或3所述的多腔室半导体处理装置，其特征在于，相邻的两个微腔室中，位于纵向上方的微腔室的下腔室部和位于纵向下方的微腔室的上腔室部相互固定或者一体成型。6.根据权利要求I所述的多腔室半导体处理装置，其特征在于，所述多腔室半导体处理装置还包括位于最下侧的微腔室的下腔室部下...

【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑛，
申请(专利权)人：无锡华瑛微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：