一种检测光刻机的掩模板遮光板精度的方法技术

本发明专利技术属于半导体制造技术领域，尤其是一种检测光刻机的掩模板遮光板精度的方法，包括以下步骤：S1，准备测试掩模板，所述测试掩模板上具有实际图形区域，所述实际图形区域包括实际图形，所述实际图形包括主图形；S2，利用所述测试掩模板在硅片上进行曝光，遮光板在曝光过程中将多余的光线遮挡掉，仅暴露需要曝光的实际图形区域；S3，测得实际硅片上曝光图形的尺寸大小，计算得出其与预定尺寸大小的偏差，即能够确定掩模板遮光板的精度。本发明专利技术由于测试掩模板一旦制作，可以用于测试各种不同类型的光刻机台，且硅片上无需提前制作测定图形，因此本方案更为灵活便捷，能够提高遮光板的检测精度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造
，尤其是一种检测光刻机的掩模板遮光板精度的方法，其作用是提高对光刻机的掩模板遮光板精度的检测能力。
技术介绍
光刻技术伴随集成电路制造工艺的不断进步，线宽的不断缩小，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局已经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的IC (集成电路)随后到LSI (大规模集成电路)，VLSI (超大规模集成电路)，直至今天的ULSI (特大规模集成电路)，器件的面积进一步缩小，功能更为全面强大。考虑到工艺研发的复杂性、长期性和高昂的成本等等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，缩小芯片的面积，在同一枚硅片上尽可能多的得到有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片设计者、制造商的重视。其中·光刻工艺就担负着关键的作用，对于光刻技术而言，光刻设备、工艺及掩模板技术即是其中的重中之重。为了获得更高的产能，光刻机的曝光面积也不断增大，目前已经达到了 26毫米*33毫米(X*Y)。参见图1、2所示光刻机掩模板工件台的构造，通过掩模板遮光板(5)在曝光过程中将多余的光线遮挡掉，进而能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测光刻机的掩模板遮光板精度的方法，其特征在于包括以下步骤：S1，准备测试掩模板，所述测试掩模板上具有实际图形区域，所述实际图形区域包括实际图形，所述实际图形包括主图形；S2，利用所述测试掩模板在硅片上进行曝光，遮光板在曝光过程中将多余的光线遮挡掉，仅暴露需要曝光的实际图形区域；S3，测得实际硅片上曝光图形的尺寸大小，计算得出其与预定尺寸大小的偏差，即能够确定掩模板遮光板的精度。

【技术特征摘要】
1.一种检测光刻机的掩模板遮光板精度的方法，其特征在于包括以下步骤 SI，准备测试掩模板，所述测试掩模板上具有实际图形区域，所述实际图形区域包括实际图形，所述实际图形包括主图形； S2，利用所述测试掩模板在硅片上进行曝光，遮光板在曝光过程中将多余的光线遮挡掉，仅暴露需要曝光的实际图形区域； S3，测得实际硅片上曝光图形的尺寸大小，计算得出其与预定尺寸大小的偏差，即能够确定掩模板遮光板的精度。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，所述测试掩模板上具有多个实际图形区域，每个实际图形区域内包含多个实际图形，每个实际图形均包括主图形。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述实际图形区域呈2*2直角阵列分布。4.如权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱骏，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：