一种高精度掩模板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高精度掩模板的制作方法，包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板制作掩模板的蚀刻步骤，金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面，蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域，非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二，蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域；在蚀刻步骤中，非蚀刻区域和非蚀刻面设有保护膜，蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔，通孔使非蚀刻区域二与非蚀刻区域一脱离，在蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸镀孔。通过本发明专利技术所提供的方法制作的掩模板，在制作大尺寸蒸镀孔的掩模板时，将制作大尺寸的蒸镀孔转化为制作小尺寸的通孔，从而提高大尺寸蒸镀孔掩模板的精度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板制作掩模板的蚀刻步骤，金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面，蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域，非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二，蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域；在蚀刻步骤中，非蚀刻区域和非蚀刻面设有保护膜，蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔，通孔使非蚀刻区域二与非蚀刻区域一脱离，在蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸镀孔。通过本专利技术所提供的方法制作的掩模板，在制作大尺寸蒸镀孔的掩模板时，将制作大尺寸的蒸镀孔转化为制作小尺寸的通孔，从而提高大尺寸蒸镀孔掩模板的精度。【专利说明】
本专利技术涉及一掩模板的制作方法，具体涉及一种OLED蒸镀用掩模板的制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(Org anic Light-Emitting Diode ；0LED)显示器具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，与液晶显示器相比，OLED显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达到液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器。因此，OLED显示器具有广阔的应用前景，逐渐成为未来20年成长最快的新型显示技术。OLED结构中的有机层材料的制作需要用到蒸镀用的掩模板，传统用蚀刻方法制作掩模板，如图1~7所示，包括: 贴膜步骤:如图1所示，将膜11压贴或涂覆到金属基板10的两侧； 曝光步骤:如图2所示，将金属基板10进行双面曝光，非蚀刻面的膜曝光形成保护膜22，蚀刻面的非蚀刻区域的膜曝光形成保护膜20，蚀刻面的蚀刻区域的膜不曝光，形成未曝光膜区域21 ； 显影步骤:如图3~4所示，将未曝光膜区域21的膜通过显影步骤除去，露出金属基板上的蚀刻区域31，保护膜20和保护膜22继续保留，图3所示为显影后的平面结构示意图，图4所示为图3中沿A-A方向的截面示意图； 蚀刻步骤:如图5所示，蚀刻后在金属基板的蚀刻区域31处形成蒸镀孔51 ； 脱膜步骤:如图6~7所示，将保护膜20和保护膜22通过脱模步骤脱掉，如图6所示为脱膜后的平面结构示意图，即掩模板整体平面结构示意图，掩模板60包括掩模板本体62以及掩模板本体上的蒸镀孔51，图7所示为图6中沿B-B方向的截面示意图。传统通过上述蚀刻方法制作掩模板，制作小尺寸蒸镀孔(蒸镀孔尺寸L小于IOOym )的掩模板时蒸镀孔精度很高，但是制作大尺寸蒸镀孔(蒸镀孔尺寸L大于100 μ m)的掩模板时，由于蒸镀孔蚀刻量变大，蒸镀孔的精度不高，如图7所示，预设的蒸镀孔51的尺寸为L，实际制作的蒸镀孔的尺寸LI要比预设的尺寸L偏大或偏小(图7所示为比预设的尺寸偏大)，蒸镀孔的精度不高，从而影响蒸镀质量。本专利技术主要是针对以上问题提出一种掩模板的制作方法，较好的解决以上所述问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供，在制作大尺寸蒸镀孔(蒸镀孔尺寸大于100 μ m )的掩模板时可以有效提高掩模蒸镀孔的精度，从而提高蒸镀质量。根据本专利技术的一方面，提供了，包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板制作掩模板的蚀刻步骤，其特征在于: 所述金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面，所述蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域，所述非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二，所述蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域； 在所述蚀刻步骤中，所述非蚀刻区域和所述非蚀刻面设有保护膜，所述蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔，所述通孔使所述非蚀刻区域二与所述非蚀刻区域一脱离，在所述蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸镀孔。进一步地，在蚀刻步骤之前还包括贴膜步骤、曝光步骤、显影步骤。进一步地，在曝光步骤中，将非蚀刻区域的膜曝光形成保护膜，蚀刻区域的膜未曝光形成未曝光膜区域。进一步地，显影步骤将未曝光膜区域的膜去除露出蚀刻区域的金属，非蚀刻区域的所述保护膜继续保留。进一步地，非蚀刻面的保护膜通过贴膜步骤和曝光步骤形成。进一步地，非蚀刻面的所述保护膜通过在非蚀刻面垫一层防止蚀刻液与非蚀刻面的金属反应的垫板形成。 进一步地，蚀刻区域的宽度为5~80 μ m。进一步地，金属基板为具有铁`磁性能的材料。优选地,金属基板为因瓦合金。根据本专利技术的另一方面，提供了一种掩模板，所述掩模板包括掩模板本体及所述掩模板本体上的蒸镀孔，其特征在于，所述掩模板包括蒸镀面和ITO面，沿所述蒸镀孔中心轴线所在的截面上所述蒸镀孔的边缘线呈碗状，所述蒸镀面的蒸镀孔大于所述ITO面的蒸镀孔，所述蒸镀孔的孔壁与所述掩模板本体的板面呈30°~60°夹角。本专利技术的有益效果在于，通过本方法制作掩模板，在制作大尺寸蒸镀孔的掩模板时(蒸镀孔尺寸大于100 μ m ),将制作大尺寸的蒸镀孔转化为制作小尺寸的通孔,减小蚀刻量，从而提高大尺寸蒸镀孔掩模板的精度。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。【专利附图】【附图说明】本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中: 图1所示为金属基板贴膜后的截面示意图； 图2所示为现有技术中完成曝光步骤的截面示意图； 图3所示为现有技术中完成显影步骤的平面结构意图； 图4所示为图3中沿A-A方向的截面示意图； 图5所示为现有技术中完成蚀刻步骤的截面示意图； 图6所示为现有技术中完成脱膜步骤的平面结构示意图； 图7所示为图6中沿B-B方向的截面示意图；图8所示为本专利技术完成曝光步骤的截面示意图； 图9所示为本专利技术完成显影步骤的平面结构示意图； 图10所示为图9中沿C-C方向的截面示意图； 图11所示为本专利技术完成蚀刻步骤的截面示意图； 图12所示为本专利技术完成脱膜步骤的平面结构示意图； 图13所示为图12中沿D-D方向的截面示意图； 图1中，10为金属基板，11为膜； 图2中，20为蚀刻面非蚀刻区域的膜曝光后形成的保护膜，21为未曝光膜区域，22为非蚀刻面的膜曝光后形成的保护膜； 图3中，31为蚀刻区域，A-A为待解剖观测方向； 图5中，50为蒸镀孔； 图6中，60为掩模板整体，61为掩模板本体，B-B为待解剖观测方向； 图7中，L为预设蒸镀孔的尺寸，LI为实际蒸镀孔的尺寸； 图8中，80为非蚀刻区域一的保护膜，81为未曝光膜区域，82为非蚀刻区域二的保护膜，83为非蚀刻面的保护膜； 图9中，90为露出的蚀刻区域的金属，L2为蚀刻区域的宽度，C-C为待解剖观测方向； 图11中，110为对应蚀刻区域的通孔； 图12中，120为掩模板整体，121为蒸镀孔，122为掩模板本体，D-D为待解剖观测方向； 图13中，I为蒸镀面，2为ITO面，Θ为蒸镀孔的孔壁与掩模板本体的板面的夹角；【具体实施方式】下面将参照附图来描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。根据本专利技术的实施例，参考图1、图8~图13所示，提供了，包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板10制作掩模板的蚀刻步骤，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高精度掩模板的制作方法，包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板制作掩模板的蚀刻步骤，其特征在于：所述金属基板包括蚀刻面和非蚀刻面，所述蚀刻面包括蚀刻区域和非蚀刻区域，所述非蚀刻区域包括非蚀刻区域一和非蚀刻区域二，所述蚀刻区域是由其外侧非蚀刻区域一和其内侧非蚀刻区域二围成的封闭区域；在所述蚀刻步骤中，所述非蚀刻区域和所述非蚀刻面设有保护膜，所述蚀刻区域的金属与蚀刻液反应形成通孔，所述通孔使所述非蚀刻区域二与所述非蚀刻区域一脱离，在所述蚀刻区域及其内侧的非蚀刻区域二处形成蒸镀孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，潘世珎，刘学明，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：