叠层虚拟掩模版的装置及集成硅光子集成芯片的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及叠层虚拟掩模版的装置及集成硅光子集成芯片的方法，装置结构为照相设备安装在硅光子平台正上方，芯片位置控制台安装在硅光子平台一侧，芯片夹具安装在芯片位置控制台上，计算机分别与照相设备、显像设备、芯片位置控制台相连。方法为将硅光子平台上的硅衬底照相由计算机制成虚拟掩模版；再将光芯片/光器件或电芯片/电器件的图像和尺寸与硅衬底的虚拟掩模版生成对应的虚拟掩模版；将多个虚拟掩模版进行对准叠加对准和固结，形成叠层虚拟掩模版；转化叠层虚拟掩模版的精度到实际硅光子平台的芯片上，并对准和固结，得到高精度的硅光子集成芯片。本发明专利技术避免实际尺寸形状和设计之间的误差，保证对准精度。本发明专利技术还具有生产成本低、易操作、易扩展等优点。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光子集成工艺方法、硅光子集成光器件制成和光通信器件，尤其是半导体激光器和硅基光芯片、硅基光波导的混合集成技术，特别涉及一种叠层虚拟掩模版的装置及集成硅光子集成芯片的方法。
技术介绍
光子集成技术就是将有源器件(例如激光器、光放大器、探测器和调制器等)和光波导器件(例如分光/耦合器等)集成到一个InP (磷化铟)基片或GaAs (砷化镓)基片或娃基片上(Pic, Photonics Integrated Circuits),从而获得单片多功能集成的光器件,实现低成本、小尺寸、低功耗、灵活扩展和高可靠性等优点。然而，由于光子芯片集成的功能非常多，对工艺一致性和产品可靠性要求非常高，其生产的难度也很大(产品的量率随着功能集成的增多而降低)，限制了光子集成技术获得更大规模的应用。 目前娃光子集成技术(SiliconPhotonics)被业界认为是最有前景的光子集成技术，尤其是这一技术可以把微电子和光电子有机结合起来，充分发挥了娃基微电子成熟的工艺技术和光电子技术固有高速、大带宽的优势，目前作为突破性的技术革命被业界投入大量资源进行研发。硅光子集成就是将光芯片和电芯片集成，即将半导体激本文档来自技高网...

【技术保护点】
叠层虚拟掩模版的装置，包括：照相设备、显像设备、计算机、芯片夹具、芯片位置控制台、硅光子平台，其特征在于：照相设备安装在硅光子平台正上方，芯片位置控制台安装在硅光子平台一侧，芯片夹具安装在芯片位置控制台上，计算机分别与照相设备、显像设备、芯片位置控制台相连。

【技术特征摘要】
1.叠层虚拟掩模版的装置，包括照相设备、显像设备、计算机、芯片夹具、芯片位置控制台、硅光子平台，其特征在于照相设备安装在硅光子平台正上方，芯片位置控制台安装在硅光子平台一侧，芯片夹具安装在芯片位置控制台上，计算机分别与照相设备、显像设备、芯片位置控制台相连。2.叠层虚拟掩模版集成硅光子集成芯片的方法，其特征在于按以下步骤 1)照相设备对硅光子平台上的硅衬底照相并记录其实际尺寸和形状传输到计算机，计算机将硅衬底的图像和尺寸制成硅衬底的虚拟掩模版并在显像设备上显示； 2)照相设备提取硅光子平台上的相应光芯片/光器件或电芯片/电...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡朝阳，余焘，石章如，
申请(专利权)人：胡朝阳，余焘，石章如，
类型：发明
国别省市：