一种高压二极管封装制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种高压二极管封装制造工艺，首先将高压二极管芯片经过酸腐蚀，与经过涂有助焊剂的引线在高温链式炉中焊接，焊接后浸泡在活化剂中，利用超声波清洗助焊剂，焊接过程中无需通入氢气，避免由于氢气爆炸造成的人身伤害事故，该封装工艺无任何安全隐患，加工后的产品性能稳定、可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高压二极管封装制造工艺。
技术介绍
封装是二极管生产工艺的重要步骤之一，作用是将芯片通过一定的方法处理后达到需要的电性参数，同时为了生产出的元件能有统一的规格方便安装。传统的高压二极管封装制作过程可能存在以下缺点1.焊接过程通入氢气，容易造成氢气燃烧爆炸，引发安全事故；2.引线和芯片焊接不牢固，容易脱落；3.芯片表面不清洁，留有残留物
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高压二极管封装制造工艺，该工艺生产的产品性能稳定、可靠。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于包括以下步骤 (1)将引线装入石墨舟，在引线钉头上涂刷助焊剂，芯片经过酸腐蚀后，填进已装入引线的石墨舟，在高温链式炉中进行焊接，焊接过程中通入高纯氮气； (2)对上述焊接后的产品进行去助焊剂残留物处理首先将产品用活化剂浸泡120s，接着，采用超声清洗产品去除表面助焊剂残留物，清洗完后，重复上述活化剂浸泡步骤，最后用无水乙醇分两次浸泡，时间分别是120s ； (3)将经过步骤(2)处理的产品置于恒温槽中烘干200s，恒温槽中通入氮气，防止产品氧化；(4)经过氮气烘干的产品由氢氟酸处理后，再经碱腐蚀，进一步去除芯片表面残留杂质； (5)在芯片表面上胶，高温固化，经过塑封成型，完成封装得成品。进一步地，步骤(I)中所述助焊剂为松香、异丙醇和琥珀酸混合物。进一步地，步骤(2)中所述超声清洗时，超声波频率为40kHz，时间为120s。进一步地，步骤(2)中所述活化剂是由异丙醇、无水乙醇和丙酮混合而成，其混合重量比为7 7 :1。进一步地，步骤(3)中所述恒温槽烘干温度50°C 60°C。进一步地，骤(4)中所述氢氟酸浓度为5%。本专利技术的优点在于1.本专利技术焊接过程中通入高纯氮气，不再使用氢气，因此，操作过程不存在安全隐患； 2.焊接时使用助焊剂，使引线与芯片焊接的更牢固；3.焊接完成后用活化剂浸泡和超声波清洗，确保芯片表面洁净，使最终产品性能稳定可靠。具体实施例方式为了使公众能充分了解本专利技术的技术实质和有益效果，申请人将在下面对本专利技术的具体实施方式详细描述，但申请人对实施例的描述不是对技术方案的限制，任何依据本专利技术构思作形式而非实质的变化都应当视为本专利技术的保护范围。一种高压二极管封装制造工艺，包括以下步骤 (1)将引线装入石墨舟，在引线钉头上涂刷松香、异丙醇和琥珀酸混合后的助焊剂，芯片经过酸腐蚀后，填进已装入引线的石墨舟，在高温链式炉中进行焊接，焊接过程中通入高纯氮气； (2)对上述焊接后的产品进行去助焊剂残留物处理首先将产品用活化剂浸泡120s，活化剂由异丙醇、无水乙醇和丙酮混合而成，其混合重量比为7 7 :1，接着，采用超声清洗产品去除表面助焊剂残留物，超声波频率为40kHz，时间为120s，清洗完后，重复上述活化 剂浸泡步骤，最后用无水乙醇分两次浸泡，时间分别是120s ； (3)将经过步骤(2)处理的产品置于恒温槽中烘干200s，烘干温度为50°C 60°C，恒温槽中通入氮气，防止产品氧化； (4)经过氮气烘干的产品由5%氢氟酸处理后，再经碱腐蚀，进一步去除芯片表面残留杂质； (5)在芯片表面上胶，高温固化，经过塑封成型，完成封装得成品。采用本专利技术封装工艺制造的产品性能稳定、可靠。权利要求1.一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于包括以下步骤 (1)将引线装入石墨舟，在引线钉头上涂刷助焊剂，芯片经过酸腐蚀后，填进已装入引线的石墨舟，在高温链式炉中进行焊接，焊接过程中通入高纯氮气； (2)对上述焊接后的产品进行去助焊剂残留物处理首先将产品用活化剂浸泡120s，接着，采用超声清洗产品去除表面助焊剂残留物，清洗完后，重复上述活化剂浸泡步骤，最后用无水乙醇分两次浸泡，时间分别是120s ； (3)将经过步骤(2)处理的产品置于恒温槽中烘干200s，恒温槽中通入氮气，防止产品氧化； (4)经过氮气烘干的产品由氢氟酸处理后，再经碱腐蚀，进一步去除芯片表面残留杂质； (5)在芯片表面上胶，高温固化，经过塑封成型，完成封装得成品。2.根据权利要求I所述的一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于步骤(I)中所述助焊剂为松香、异丙醇和琥珀酸混合物。3.根据权利要求I所述的一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于步骤(2)中所述超声清洗时，超声波频率为40kHz，时间为120s。4.根据权利要求I所述的一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于步骤(2)中所述活化剂是由异丙醇、无水乙醇和丙酮混合而成，其混合重量比为7 7 :1。5.根据权利要求I所述的一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于步骤(3)中所述恒温槽烘干温度50°C 60°C。6.根据权利要求I所述的一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于步骤(4)中所述氢氟酸浓度为5%。全文摘要本专利技术公开了一种高压二极管封装制造工艺，首先将高压二极管芯片经过酸腐蚀，与经过涂有助焊剂的引线在高温链式炉中焊接，焊接后浸泡在活化剂中，利用超声波清洗助焊剂，焊接过程中无需通入氢气，避免由于氢气爆炸造成的人身伤害事故，该封装工艺无任何安全隐患，加工后的产品性能稳定、可靠。文档编号H01L21/60GK102881601SQ20121039435公开日2013年1月16日 申请日期2012年10月17日 优先权日2012年10月17日专利技术者黄丽凤 申请人:如皋市大昌电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）将引线装入石墨舟，在引线钉头上涂刷助焊剂，芯片经过酸腐蚀后，填进已装入引线的石墨舟，在高温链式炉中进行焊接，焊接过程中通入高纯氮气；（2）对上述焊接后的产品进行去助焊剂残留物处理：首先将产品用活化剂浸泡120s，接着，采用超声清洗产品去除表面助焊剂残留物，清洗完后，重复上述活化剂浸泡步骤，最后用无水乙醇分两次浸泡，时间分别是120s；（3）将经过步骤（2）处理的产品置于恒温槽中烘干200s，恒温槽中通入氮气，防止产品氧化；（4）经过氮气烘干的产品由氢氟酸处理后，再经碱腐蚀，进一步去除芯片表面残留杂质；（5）在芯片表面上胶，高温固化，经过塑封成型，完成封装得成品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄丽凤，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：